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小木蟲論壇-學術科研互動平臺 » 材料區(qū) » 材料綜合 » 材料物理 » PZT薄膜中的缺陷導電問題
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學習娃子新蟲 (初入文壇)
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[求助]
PZT薄膜中的缺陷導電問題 已有1人參與
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在PZT薄膜中，鉛揮發(fā)后的薄膜內(nèi)部存在很多鉛空位，會形成負電中心 ，為保 持電中 性，會產(chǎn)生帶正電的氧空位 ， 使薄膜成為 p 型導電膜，這句話怎么理解啊 Pb空位的形成會導致空穴導電，但是O空位不是會形成電子導電嗎，這個怎么回事P型導電，求高手解答，萬分感謝！ |
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【答案】應助回帖
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在半導體理論里沒有這種說法，多數(shù)氧化物半導體呈n型或P型導電，是因為非化學計量缺陷、元素替位和非故意摻雜； 非化學計量很好理解，PZT中鉛是+2價的，Pb揮發(fā)后，就會使PZT非化學計量，也就等于部分+2的Pb，轉(zhuǎn)變?yōu)?4價的Pb，化學式變?yōu)镻b1-y（Zr0.5，Ti0.5）O3，薄膜為P型導電，這種在氧化物半導體中很多，如P型Cu2O里面存在Cu+2價，因此可寫成Cu2-xO，n型TiO2，存在O空位，因為O只有-2價一種，因此得反過來想，存在Ti3+，寫成TiO2-x； 然而，化合物中，有Pb空位，產(chǎn)生受主，也有可能有O空位，產(chǎn)生施主，這兩種缺陷相互耦合抵消，因此理論上，惰性氣體保護燒結(jié)，產(chǎn)生O空位，有利于降低PZT的導電性，降低漏電。 替位缺陷，Zr、Ti替位Pb，是施主，是否可行我不知道，也會使薄膜偏N型，抵消pb空位，使薄膜空穴減少！ 非故意摻雜，原材料純度不夠，引起外來離子的摻雜，N，P型要看雜質(zhì)種類和數(shù)量。 |
2樓2015-01-07 13:35:46
學習娃子
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3樓2015-01-07 14:37:54
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4樓2015-01-07 15:20:54
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