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[求助]
【求助】TEM觀察BCC金屬的位錯(cuò)組態(tài)，求幫助分析。
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RT。 樓主做的是某BCC金屬高溫壓縮變形，現(xiàn)在用TEM看了下位錯(cuò)組態(tài)。由于知識(shí)儲(chǔ)備有限，恭請(qǐng)蟲友們指導(dǎo)。 樣品都是數(shù)百微米粒徑的粗晶。變形條件： 1573K- 0.01s-1，三個(gè)不同變形量。 拍攝條件都是近似雙束或者就是普通的多束條件。 由于鑒定滑移系太困難，也沒有特意去做g/-g標(biāo)定伯式矢量，也沒有用g/-3g做弱束暗場(chǎng)來更清晰表達(dá)位錯(cuò)， 別拍磚。 名義真應(yīng)變量： 0.1 圖004和圖008中，那些彎曲的粗黑線是位錯(cuò)線（過焦了一些）。我想問，高溫變形下位錯(cuò)攀移十分普遍，能否看出來有攀移的痕跡？ 是否必須要知道這些位錯(cuò)是刃型或者螺型的，才能根據(jù)位錯(cuò)線方向來判斷？ Image_004.jpg Image_008.jpg 下圖可以看到，位錯(cuò)有聚集形成位錯(cuò)墻（？）的趨勢(shì)，附近的位錯(cuò)密度比較低。 Image_026.jpg 下圖這是位錯(cuò)露頭？亦或是位錯(cuò)交接并反應(yīng)的某個(gè)形態(tài)？ Image_008.jpg |
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2015-01-12 21:35:39, 1.06 M
2015-01-12 21:35:42, 1.06 M
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8樓2018-07-16 11:32:46
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名義真應(yīng)變= 0.6 加大應(yīng)變量后，位錯(cuò)胞或者亞晶界開始形成，尺寸在500nm-1000nm。但EBSD此時(shí)分析出來的亞晶尺寸和DRX晶粒尺寸，在10微米以上。 這兩種分析方法顯然無法自洽。個(gè)人認(rèn)為亞晶相關(guān)分析還是以TEM為準(zhǔn)。 但TEM鑒定亞晶界取向差等太麻煩了...... 可以看到中間的亞晶界。并且圖片的下半部分的（亞）晶粒內(nèi)，很多更細(xì)小的，500nm左右的是.....IDB？ GNB？ 或者就是強(qiáng)烈DRV形成的位錯(cuò)墻或者更細(xì)小的亞晶界？ 圖片中間黑色趨于可能是個(gè)夾雜物或第二相。 這是上圖左上角趨于的放大�？梢悦黠@看到小角晶界特征。 能否從這個(gè)小角晶界的特征，讀出什么？ 兩個(gè)滑移面的位錯(cuò)交割、反應(yīng)，形成了細(xì)小的四邊形的網(wǎng)格？？ 這是中間一個(gè)片狀第二相插入某個(gè)晶粒內(nèi)。在第二相兩側(cè)，形成了小角晶界，并可清晰看到小角晶界是四邊形網(wǎng)格，這說明是兩列或者兩個(gè)滑移系上的位錯(cuò)相互反應(yīng)的結(jié)果？ 能從上面看到位錯(cuò)攀移的痕跡么。。。 |
2樓2015-01-12 22:01:47
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名義真應(yīng)變=1.2 · 整體上，亞晶界的取向差增大了；亞晶內(nèi)的位錯(cuò)胞或者位錯(cuò)墻或者....依然豐富。 亞晶界取向差增大；亞晶界寬度縮小。 亞晶界取向差增大；亞晶界寬度縮小。 無法解釋的。 從左下角到右上角，那些平行的、單個(gè)的痕跡是.......位錯(cuò)線？ 顯然這里不需要它來證明位錯(cuò)滑移的變形機(jī)制。圖中左右走向的“黑帶”上有細(xì)節(jié)，見下面。 交叉出的放大。 這是平行的、單個(gè)位錯(cuò)線和左右走向的這個(gè)亞晶界的交割？ 上圖中，左右走向的“黑帶”放大。可以看到兩個(gè)滑移系上的位錯(cuò)交割形成的四邊形小網(wǎng)格。。。以及，這個(gè)‘黑帶’貌似是個(gè)層錯(cuò)或者孿晶。 如上。另一個(gè)趨于的同一個(gè)‘黑帶’。這顯然具有孿晶的特征。 高層錯(cuò)能BCC金屬中出現(xiàn)層錯(cuò)、孿晶，本來就不多見；高溫、緩慢變形下還出現(xiàn)，更不可思議。 顯然，三條位錯(cuò)在交割。 根據(jù)交叉出的外形，可以說是交滑移么？ |
3樓2015-01-12 22:21:44
4樓2015-01-15 08:17:03
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