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xiejiancqu金蟲 (初入文壇)
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用CASTEP計(jì)算五氧化二釩的態(tài)密度圖與文獻(xiàn)用VASP計(jì)算得到的態(tài)密度不一樣？？？ 已有2人參與
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請教 ：我用CASTEP計(jì)算的V2O5的態(tài)密度，與文獻(xiàn)相差很多-就是峰沒有那么尖銳，沒那么多峰，是我自己在設(shè)置參數(shù)出錯了嗎？還是其它原因？ 文獻(xiàn)用的是VASP ，GGA-PBE ,K為4X6X6，ECUT=500eV設(shè)置參數(shù)直接用文獻(xiàn)的優(yōu)化結(jié)果晶格常數(shù)誤差很大，我GGA-PBE進(jìn)行收斂測試得到K點(diǎn)為4x4x4,和ECUT為1270eV，優(yōu)化后晶格常數(shù)c值誤差有將近10%，后面用改變泛函為GGA-PBESOL.優(yōu)化后晶格常數(shù)與實(shí)驗(yàn)值比較接近。進(jìn)行計(jì)算的結(jié)果圖所示： V2O5-CASTEP.png V2O5-VASP.png |
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1、DFT_D好像是在在6.1版本以后才能夠在CASTEP使用，如果手頭沒買這個版本以上的只好不考慮； 2、峰的高低取決于計(jì)算過程被計(jì)入的價(jià)電子數(shù)目，如果原子數(shù)目一樣，那么最有可能的就是贗勢的差異。贗勢方法并不計(jì)算所有電子，而VASP的贗勢和CASTEP應(yīng)該是有差異的，PAW方法更是另外一回事。 3、只要價(jià)帶峰的導(dǎo)帶底與文獻(xiàn)接近即可。至于導(dǎo)帶的形狀、大小是否一樣，完全可以不用理會。 4、U對于某些特定體系可以是帶隙劈裂更大，不過與你現(xiàn)在的問題無關(guān)，如果文獻(xiàn)加上了U，原則上作比較的話也應(yīng)該考慮。這次的結(jié)果差不多其實(shí)已經(jīng)接近文獻(xiàn)了，接下來還可以做些其他的改善。 |
12樓2015-01-17 17:59:44
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KalaShayminS前輩說的有些道理，我當(dāng)時(shí)也沒注意，右側(cè)少個峰有可能是“能級不夠多”，可以計(jì)算能帶結(jié)構(gòu)的時(shí)候加些空帶數(shù)目，默認(rèn)12肯定不夠，到了6eV是電子態(tài)直接“掉下去”了。 峰值高低除了贗勢或PAW的價(jià)電子組態(tài)不同，也有可能是你采用PBEsol和PBE不同造成的，目前尚不確定，一定要找出原因可以對照兩者價(jià)電子組態(tài)看看有多大差異。展寬很大的時(shí)候電子態(tài)彌散開來，所以大的展寬的DOS不怎么好看。 我忘記了6.0能不能做DFTD，如果不能也就只有這樣了，能+D的話對于VDW結(jié)合的方向的晶格常數(shù)會有些改善�？梢约由蟼�U看看會不會改善能帶的結(jié)果，U值怎么取合理就得再想辦法了。 |
15樓2015-01-18 08:15:46
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謝謝您的回復(fù)！我就是在疑惑是不是我的計(jì)算有誤導(dǎo)致數(shù)據(jù)不對，所以峰沒那么多，也沒那么尖銳，還是因?yàn)樗攒浖煌斐傻?..... 望具體指點(diǎn)，謝謝！ 3樓2015-01-16 09:27:03
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謝謝指點(diǎn)！可文獻(xiàn)的也是展寬的，我用Origin畫圖的橫坐標(biāo)設(shè)置與文獻(xiàn)一樣，如果是繪圖設(shè)置的問題那我又應(yīng)該怎樣設(shè)置呢？（呵呵 Origin不是很熟悉使用）再問一個比較二的問題，我這個圖要是寫進(jìn)文章里能用么？5樓2015-01-16 12:01:50
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不是繪圖軟件（數(shù)據(jù)處理軟件Origin照成的）看一下計(jì)算使用的smearing和性質(zhì)中的smearing是不是都太大了，這個smearing就是展寬。計(jì)算的時(shí)候smearing過大可能也會造成結(jié)果不可靠，該取多少最好由測試決定。 晶格常數(shù)不同有可能是贗勢導(dǎo)致的，或是其他一些細(xì)節(jié)引起的，這個問題暫時(shí)不得而知。你做的是層狀結(jié)構(gòu)吧，也許考慮GrimmeD有可能有好的結(jié)果。 |
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xiejiancqu6樓2015-01-16 23:51:09
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不是很明白，麻煩您再指點(diǎn)一下，萬分感謝！10樓2015-01-17 16:37:13
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