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吉米愛多鐵桿木蟲 (著名寫手)
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[求助]
二氧化硅晶體cleave plane問題 已有1人參與
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我用SiO2的晶胞,a=b=4.913437,c=5.405118。α=β=90°,γ=120°。在三維做了個(gè)8*8*8的超級晶胞然后用011面去截,請問圖中的mesh lengthes是怎么確定的?修改不了,這個(gè)對于所截的面會(huì)有什么影響嗎? 11.jpg 22.jpg |
主管區(qū)長 (職業(yè)作家)
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專家經(jīng)驗(yàn): +1059 |
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表示贊同,U V決定切出來的截面的形狀和尺寸,不過只要cleave plane和position中的top確定之后,該截面暴露的原子群是完全一致的。此外,cleave plane確定之后,U V的數(shù)值能調(diào)節(jié)的范圍需限定在指定的cleave plane確定的平面之內(nèi),即U V可調(diào)節(jié)的范圍是有限的。 由于在暴露的原子組決定了表面性質(zhì),所以盡管截面形狀尺寸可能不同,考慮到周期性,表面性質(zhì)是一樣的。 |

主管區(qū)長 (職業(yè)作家)
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專家經(jīng)驗(yàn): +1059 |

新蟲 (小有名氣)
鐵桿木蟲 (著名寫手)
金蟲 (小有名氣)

鐵桿木蟲 (著名寫手)
鐵桿木蟲 (著名寫手)
主管區(qū)長 (職業(yè)作家)
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專家經(jīng)驗(yàn): +1059 |
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mesh length的計(jì)算應(yīng)該根據(jù)U V有一套計(jì)算公式,具體公式我不知道。 不過我覺得不必糾結(jié)于這個(gè)問題,U V按系統(tǒng)默認(rèn)數(shù)據(jù)即可。 至于你說調(diào)節(jié)切出來的晶面的尺寸問題,通常的做法是,從一個(gè)晶胞開始,調(diào)節(jié)到自己想要的thickness,切割出晶面,然后根據(jù)后續(xù)需要(比如做分子力動(dòng)力學(xué)計(jì)算要求結(jié)構(gòu)的尺寸大于截?cái)喟霃剑僭赽uild-symmetry--supercell中把該表面擴(kuò)展。 如果一開始就把整個(gè)晶胞作三維擴(kuò)展,再切割晶面,需要事先計(jì)算好,三維擴(kuò)展的時(shí)候A B C的數(shù)值。 |

金蟲 (小有名氣)
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1、U和V只是決定截出來的晶胞表面的形狀和尺寸,以及你想要的表面的結(jié)果。:victory 不必糾結(jié)于這點(diǎn))2、比如說,我想讓二氧化硅的表面帶負(fù)電荷(即相當(dāng)于羥基化處理),那我在切表面的時(shí)候就要把氧原子給切出來,即U=(1 1 0),V=(-1 1 0) 。此時(shí)你會(huì)發(fā)現(xiàn)在MS中你切出來的晶胞的邊長不再是a、b,而是U、V,而且U、V不和x、y軸重合,但這又不影響你后期build layer。(這就是我說你不必糾結(jié)的原因) 3、我建議你先切你所需要的表面,然后再supercell,這樣更方便! |

鐵桿木蟲 (著名寫手)
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