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windsuk2011金蟲 (小有名氣)
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[求助]
缺陷能帶結(jié)構(gòu)中的能級與缺陷形成能計算中的轉(zhuǎn)變能級的問題 已有1人參與
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在能帶結(jié)構(gòu)計算中,缺陷會在禁帶中引入defect level,DOS圖中也可看出,而缺陷形成能的計算中,可以得到defect transition level, 這兩個level有何不同? defect transition level對應缺陷電離能,而電離能=導帶 - defect level(施主) 是不是一樣呢? |
VASP計算資料收集byZF |
木蟲 (著名寫手)
金蟲 (著名寫手)
金蟲 (著名寫手)
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參看:http://www.gaoyang168.com/bbs/viewthread.php?tid=8467061&authorid=394087 兩種能級不是一回事。缺陷能級是真正的能級,缺陷導致的能級可以被電子占據(jù),也可以不被電子占據(jù),可以提供電子的躍遷,和電子-空穴的復合。簡言之,缺陷能級是能帶結(jié)構(gòu)中真正的能級。 缺陷轉(zhuǎn)變能級是刻畫不同價態(tài)缺陷之間的轉(zhuǎn)變,它并不是能帶結(jié)構(gòu)中的能級。缺陷形成能與電子費米能級(也就是電子的化學勢)有關。何為電子費米能級,因為半導體中,缺陷可以存在多種價態(tài),這就涉及到某種原子得到或失去電子,那么這失去的電子要被一個環(huán)境去容納它,這個容納它的環(huán)境的能量就成為電子的化學勢或費米能級,它的可能值位于VBM到CBM。不同價的缺陷的形成能與費米能級相關,當某個費米能級時如果兩種價態(tài)的缺陷形成能相等,那么這個電子費米能級的值就是缺陷轉(zhuǎn)變能級。對于受主,電離能就是(0/-)缺陷的轉(zhuǎn)變能級。 |
金蟲 (小有名氣)
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額。。。這個帖子還是我發(fā)的,我看了大部分有關缺陷的書,對于缺陷能級都是這么介紹的,缺陷在禁帶中會引入能級,該能級的位置就用電離能來表示,施主能級就是導帶以下Ed的位置,受主能級就在價帶以上Ea的位置,而這些電離能可以通過電離前后能量的改變來求得,即兩種不同價態(tài)的缺陷形成能之差除以電荷差,也就是缺陷轉(zhuǎn)變能級。 那么能帶計算中得到的缺陷的能級,它距離導帶(或價帶)的距離是不是不等于電離能? The thermodynamic transition levels are not to be confused with the single-particle Kohn–Sham states that result from band-structure calculations for a single charge state. It is important to realize that the Kohn-Sham (KS) levels that result from a bandstructure calculation for the center cannot directly be identified with any levels that are relevant for experiment。 還有,從這兩句話來看,似乎能帶計算中得到的缺陷能級用處不大啊? |
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