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mamin2818380新蟲 (初入文壇)
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CV曲線分析 已有7人參與
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木蟲 (正式寫手)
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這個(gè)問題一開始我也想知道,后來在小木蟲上問,有人這么說但也沒說為什么,文獻(xiàn)上也很多關(guān)于這個(gè)現(xiàn)象,但都沒有具體解釋 后來我是這么思考,因?yàn)楸堵市阅艿谋举|(zhì)是啥,就是電極的內(nèi)阻,如果有氧化還原反應(yīng),在低掃速下,內(nèi)阻的作用不顯著,所以電子依然可以流通。 但如果在高掃速(CV)或者高電流下充放電(CP)時(shí)候,由于U=IR,那么內(nèi)阻所占的電壓就非常大,再加上,如果內(nèi)阻和電容是串聯(lián),較大的內(nèi)阻占去了大部分電壓,那么實(shí)際充放電幾乎不會(huì)實(shí)現(xiàn)了(IR降過大,這里的R一般是與體系串聯(lián)的),也就是說電子無法流通實(shí)現(xiàn)贗電容的平臺(tái),所以在大電流或者大掃速下電容器就失效,就是俗話說的倍率性能差。 那這個(gè)CV峰不僅位移(可逆性降低),而且峰減弱,就是這個(gè)道理 如果在50V/s 掃速下,峰位移不明顯且依然顯著,那么這個(gè)材料倍率性能就好 我也是初學(xué),說錯(cuò)勿拍磚。。。 |
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