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tcheng92金蟲 (小有名氣)
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[求助]
關(guān)于SiC上單層石墨烯形成buffer layer的聲子譜的計算問題 已有1人參與
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我在使用VASP+PHONON計算SiC襯底上存在單層石墨烯形成Bufferlayer的聲子譜時，計算中采用的4層C-Si雙層，其中SiC末端采用H飽和，所以計算的聲子譜在3000cm-1處有曲線，計算結(jié)果如附圖。與之前文獻(xiàn)中結(jié)果有很大差別，但是我的構(gòu)型優(yōu)化也沒什么問題，能帶和DOS的計算結(jié)果和文獻(xiàn)中符合的很好。 我想問一下會不會是SiC的層數(shù)在計算聲子譜的時候?qū)Y(jié)果會產(chǎn)生很大影響，如果減少層數(shù)又沒有幫助，因為我看那篇文獻(xiàn)中用的是兩層C-Si雙層。 SiC+Graphene聲子譜結(jié)算結(jié)果.jpg BUFFER_bands.JPG |
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2015-05-07 19:28:28, 1.88 M
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chkxuan
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12樓2015-05-23 21:32:37
chkxuan
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franch: 金幣+3, 謝謝回帖交流。。。。 2015-05-12 09:42:01
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2015-05-09 13:49:49, 1.57 M
2樓2015-05-09 13:50:36
tcheng92
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您好，感謝你的回復(fù)，我看了您的文章，有個問題想問下，那個suspended graphene是單層石墨烯結(jié)構(gòu)么，怎么聲子譜里面有這么多模式？3樓2015-05-11 09:51:11
chkxuan
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4樓2015-05-11 18:13:48
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