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超級(jí)電容恒電流充放電測(cè)試問題求教 已有2人參與
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| 使用CHI660D做計(jì)時(shí)電位測(cè)試,電位區(qū)間設(shè)置在-0.1~0.4V,在1A/g電流密度下充放電數(shù)次后,高電位達(dá)不到0.4V了,而采用2A/g的電流就能充到0.4V。求教各位一下,我是應(yīng)該采用2A/g充電電流及1A/g放電電流進(jìn)行測(cè)試呢,還是用1A/g電流充放電,同時(shí)電位取實(shí)際能達(dá)到的最大電位? |
Supercapacitor |


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直流充放電文獻(xiàn)里面全部采用充電電流和放電電流相同。比電容與充放電的電流是相關(guān)的,電流越大,比容量越小,文獻(xiàn)里面會(huì)有“容量vs充放電電流密度”的圖,可以用來評(píng)估倍率性能。在表達(dá)性能的時(shí)候,通常選擇最小電流測(cè)試得到的電容,因?yàn)楸容^大,好看。充放電循環(huán)建議電流大一些,一方面節(jié)省時(shí)間,另外一方面循環(huán)性會(huì)好看一些。 |

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