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[求助]
關(guān)于GISG薄膜ZnO/AZO層的制備 已有2人參與
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| 大家好,我讀研是做這個電池的,結(jié)果找文獻(xiàn),發(fā)現(xiàn)就吸收層的制備工藝,完全找不到ZnO/AZO層是怎么做的,就知道用磁控做,但是,參數(shù)什么的完全目頭緒,大家是怎么做的啊,望指導(dǎo)一下,謝謝了 |
金蟲 (著名寫手)


禁蟲 (小有名氣)
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專家顧問 (著名寫手)
研發(fā)工程師-Topcon/HJT電池
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專家經(jīng)驗(yàn): +112 |
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ZnO靶材,RF-sputter,ZnO薄膜,50nm,薄膜方阻>80Ω,濺射氣氛:氬氣+氧氣,氧氣流量是氬氣流量的10分之一,具體可調(diào);電阻很大就好,氣壓1~10*10^-3 torr AZO靶材,DC-sputter,AZO薄膜, 250~900nm,薄膜方阻<50Ω,濺射氣氛:氬氣,氣壓1~10*10^-3 torr之間 沒有這方面的文章,是因?yàn)檫@個太簡單了,沒有創(chuàng)新點(diǎn),不適合發(fā)文章單獨(dú)介紹了 |
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