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arkforever銅蟲 (初入文壇)
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這個章節(jié)是摘自關于硅材料的哪本書（中文）？
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“第七章 硅中的缺陷 本章討論原生長硅單晶和器件工藝中的硅片中最重要的一些缺陷，包括它們的本質、幾何分布、形成的機理、它們之間的相互作用和關系等等。關于氧沉淀方面的內容放在第八章中討論。要成功地制造有效的硅器件必須在硅片的有效工作區(qū)內消除晶體缺陷。隨著集成電路技術的集成度越來越高，器件制造工藝變得越來越復雜，增加了在硅片中引入缺陷的機會。除非我們對這些缺陷的本質和形成機理有了了解，否則它們會不確定地發(fā)生，從而影響所制成的器件的性能�；谶@一基本目的，對硅片中缺陷的了解必須最終與它們對器件電性能的影響相聯(lián)系�！� “7．1 硅中缺陷的特點 由于點缺陷無論在硅中的原生缺陷還是在工藝誘生缺陷的形成過程中都起著十分重要的作用，在討論兩類缺陷以前有必要先討論硅中的點缺陷的基本性質；同時，也討論一下作為具有金剛石類型晶體結構的硅單晶中的位錯和層錯等缺陷所具有的一些特點。 7．1．1 硅中的點缺陷 硅中的點缺陷包括空位和自間隙原子以及雜質原子。晶體中兩種基本的點缺陷是空位和自間隙原子�？瘴皇侨鄙僖粋�原子的晶格位置，自間隙原子是在晶體中位于除了晶格位置以外的任何位置的組成晶體基本成分的原子。由于晶格位置上的原子的熱運動，只要溫度不是在絕對溫度零度，晶體中就都含有空位和自間隙原子，因此空位和自間隙原子被稱為熱點缺陷。由于能量的緣故，在一定的溫度下只有一定數(shù)目的這樣的缺少一個原子的晶格位置，也只有一定數(shù)目的這樣的可以容納間隙原子的偏離晶格的位置，也就是說，一定溫度下的空位和自間隙原子的平衡濃度是確定的。” 以上是節(jié)選，這是我從百度文庫上找到的word文檔覺得很有幫助，但不知道原書是什么，有沒有人看過這本書的？ |
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2015-06-24 11:14:33, 3.19 M
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