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[交流]
wire bonding的時候 金屬pad厚度是多少才足夠呢 已有4人參與
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大家好！器件菜鳥誠心求問： 1. 我做wire bonding的時候， 用了8nm Cr/30 nm Au，但是發(fā)現(xiàn)引線鍵合不上去，而且pad很容易就被戳破了。想問問各位xdjm，金屬pad的厚度應該做到多少才能保證沒有問題呢（特別是cr和au的厚度到底哪個重要）？另外不知道鍵合得好不好，是不是與蒸鍍時的純度有關系呢？我一直懷疑是不是我們蒸鍍的設備有問題，雖然蒸出來看起來還好。。 2. 另外就是我使用了280 nm的氧化硅做介電層，優(yōu)點擔心鍵合后損壞氧化層。如果我把pad弄得非常厚，比如幾百個nm，會有幫助嗎？ 謝謝大家！祝大家天天開心！ |
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7樓2015-11-28 01:11:31
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盡量厚的，用50nm的。。。 另外有的時候你看到pads給bond破了，可能是和襯底粘合不好，整層撕了。這時必須去加強粘合，加厚pads意義不大。。。我知道有人bond的時候用的是35nm的pads，所以你的情況也不一定會特別困難，粘合強度的問題可能確實值得考慮一下。。。 另外參數(shù)調(diào)的不對，太強或太弱也都可能會弄破pads，如果粘合不是特別好的情況下。 Cr的粘合效果一般而言比較好，但也取決于襯底。它的厚度不太關鍵。但是在粘合不好的時候粘合層也可以用于吸收bond的力的作用，這種情況下Au和Cr總厚度越大越好，鑒于Cr便宜，增加它的厚度比較好，但Cr應力比較大，不適合搞的太厚（<100nm）。另外不同粘合金屬表面硬度不同，顯然軟的容易bond。從這個角度來說Ti比Cr 硬，所以綜合起來Cr還是比較好的。在不考慮磁性質(zhì)的情況下，一般來說Cr是我比較喜歡的粘合層，Ti排第二。 |
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杰克高杰3樓2015-07-09 02:15:17
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蒸鍍質(zhì)量以及金屬純度和你的問題關系應該不是很大，除非表面搞的非常不平。從你的描述中可以排除，而且30nm也不薄了，不大可能太差。。。 我剛沒看到你的襯底是氧化硅，那樣的話粘合應該沒有問題。pads搞厚一點就可以了，如果還不行很可能是參數(shù)沒調(diào)對。基本上沒有更容易bond的了。。。= = 關于打穿氧化層的問題，取決于機子本身的狀況，280nm的厚度是有可能打穿的，當然回頭發(fā)現(xiàn)短路了就知道了很好排查。厚的pads會有所幫助，但不起決定性作用，盡量把force的參數(shù)調(diào)低吧。如果你們不是做二維材料非要300nm左右的氧化層不可，那就把襯底換成一兩微米的吧。 |
4樓2015-07-09 02:24:07
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