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利用磁控濺射在二氧化硅表面沉積金電極的問題 已有2人參與
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各位蟲友們大家好,在下最近正在進(jìn)行傳感器制作的相關(guān)實(shí)驗(yàn),遇到了以下問題,勞煩各位蟲友給指點(diǎn)迷經(jīng),非常感謝! 我的實(shí)驗(yàn)過程是:一次光刻,IBE,二次光刻,沉積金電極,關(guān)鍵在于金電極要沉積在二氧化硅表面,兩者的粘附性很差,剝離過后金馬上就掉沒。所以嘗試用Ti作過渡層,30nm左右,結(jié)果粘附性依然不樂觀,剝離雖然不掉但卻經(jīng)不起焊接,焊接時電極會掉落。 請問大家是否遇到過此類情況,或者有什么好的建議嗎?聽說用Cr作過渡層好一些?那過渡層的厚度多少合適呢?磁控濺射時沉積溫度和壓力多少合適呢?(我常溫,1.4Pa,80w) 再次感謝! |
薄膜制備與特性 |
新蟲 (職業(yè)作家)
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