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如何畫圖求光學(xué)帶隙及區(qū)分直接和間接躍遷 已有4人參與
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如題,本人檢索這方面問題,發(fā)現(xiàn)小木蟲好友有部分解釋,如下: 方法1:利用紫外可見漫反射測量中的吸光度與波長數(shù)據(jù)作圖,利用截線法做出吸收波長閾值λg(nm),利用公式 Eg=1240/λg (eV) 計算禁帶寬度。 方法2:利用(Ahν)2 對 hν 做圖,利用直線部分外推至橫坐標(biāo)交點,即為禁帶寬度值。也可利用(Ahν)0.5對 hν 做圖,利用直線部分外推至橫坐標(biāo)交點,即為禁帶寬度值。前者為間接半導(dǎo)體禁帶寬度值,后者為直接半導(dǎo)體禁帶寬度值。A (Absorbance) 即為紫外可見漫反射中的吸光度。 方法3:利用(αhν)2 對 hν 做圖,利用直線部分外推至橫坐標(biāo)交點,即為禁帶寬度值。也可利用(αhν)0.5對 hν 做圖,利用直線部分外推至橫坐標(biāo)交點,即為禁帶寬度值。前者為間接半導(dǎo)體禁帶寬度值,后者為直接半導(dǎo)體禁帶寬度值。α (Absorption Coefficient ) 即為紫外可見漫反射中的吸收系數(shù)。α與A成正比。 方法4:利用[F(R∞)hν]2 對 hν 做圖,利用直線部分外推至橫坐標(biāo)交點,即為禁帶寬度值。也可利用[F(R∞)hν]0.5 對 hν 做圖,利用直線部分外推至橫坐標(biāo)交點,即為禁帶寬度值。前者為間接半導(dǎo)體禁帶寬度值,后者為直接半導(dǎo)體禁帶寬度值。 我的問題 1)方法一中,我縱坐標(biāo)為吸光度Abs,為何橫坐標(biāo)分別為能量hv和波長nm的結(jié)果是不一樣的,有的差別比較大? 2)此外,第二和第三種方法需要知道是直接還是間接躍遷,如何區(qū)分和確定呢?我材料有點復(fù)雜! 3)這兩個方法縱坐標(biāo)我是否可以直接用儀器得到的吸光度與橫坐標(biāo)求算出的能量值相乘(origin中求兩列數(shù)據(jù)相乘的結(jié)果),再進(jìn)行開方或平方得到縱坐標(biāo),是否可以?就是不管2.303和d值,我發(fā)現(xiàn)倍數(shù)對畫線找截距沒有影響,但平方還是開方影響很大。單位就應(yīng)該由ev/cm的平方或開方換成ev的平方或開方? 4)如果方法一可以,是否結(jié)果應(yīng)該與方法二和三結(jié)果一致? 5)(αhν)2 應(yīng)該是直接躍遷?(αhν)0.5應(yīng)該對應(yīng)間接躍遷? |
紫外數(shù)據(jù)分析 | 好帖收錄 |
金蟲 (小有名氣)

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