| 7 | 1/1 | 返回列表 |
| 查看: 2750 | 回復(fù): 6 | |||
[求助]
VASP計(jì)算帶電點(diǎn)缺陷形成能時(shí),如何對(duì)electrostatic interaction修正
|
| 如題,我最近正在用VASP計(jì)算帶電點(diǎn)缺陷的形成能,但是在形成能公式Ef [Dq ] = Etot[Dq ] − Etot[bulk] +ini (Ei + μi )+q(EF − VBM) + Ecorr里有一個(gè)靜電相互作用的修正項(xiàng)Ecorr,我已查閱相關(guān)文獻(xiàn)Fully Ab Initio Finite-Size Corrections for Charged-Defect Supercell Calculations,但還是不知如何計(jì)算,請(qǐng)懂得的大俠不吝賜教!最好能寫(xiě)出用VASP計(jì)算的每一個(gè)環(huán)節(jié)的詳細(xì)步驟以及每一步的目的,關(guān)鍵點(diǎn)。百拜! |
帶電摻雜體系形成能 |

新蟲(chóng) (小有名氣)
新蟲(chóng) (正式寫(xiě)手)
金蟲(chóng) (正式寫(xiě)手)
納米寶貝
木蟲(chóng) (職業(yè)作家)
新蟲(chóng) (初入文壇)
新蟲(chóng) (小有名氣)
| 7 | 1/1 | 返回列表 |
| 最具人氣熱帖推薦 [查看全部] | 作者 | 回/看 | 最后發(fā)表 | |
|---|---|---|---|---|