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請教關于PL峰擬合的問題 已有1人參與
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我是做氮化鎵材料的,在文獻中,多數(shù)是用高斯線型擬合PL譜峰,而用洛倫茲線型擬合的非常少;我的粗淺的認識是:在半導體材料中,高斯線型對應的是激子或其他偶極子的多普勒展寬,而洛倫茲對應的是自然展寬和碰撞(散射)展寬。 1.在光激發(fā)的半導體中,特別是低溫下,速度分布導致的多普勒展寬應該不是主要展寬機制,為什么文獻中多采用對應的高斯線型,是否還有其他意義? 2.在半導體中,如果考慮混合展寬,去做精細的擬合,可否用簡單pseudo-voigt function去擬合,還是必須得用卷積形式的voigt線型函數(shù)? |
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