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lfooo木蟲 (正式寫手)
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[求助]
透射EBSD（TKD）和傳統(tǒng)EBSD在分析織構(gòu)上的差別。 已有3人參與
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| 請問利用透射EBSD得到的掃描區(qū)域的取向信息和傳統(tǒng)EBSD得到的取向信息有無差別？織構(gòu)的分析，或者說在后續(xù)軟件處理織構(gòu)時，需不需要修正透射EBSD的角度？或者通過虛擬載物臺進行修正？ 我發(fā)現(xiàn)兩種方法做出來的織構(gòu)有很大差別，不知道是什么原因。 |
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鎳層錯r能大約125，一般認為是高層錯能金屬，但是歸一化的層錯能（r/Gb）與銅相近，而且退火容易形成孿晶，這點與典型的高層錯能Al截然不同。 不知道孟老師說的強回復(fù)是怎樣的過程，是否是晶內(nèi)大量位錯交滑移回復(fù)，在界面處的位錯攀移回復(fù)掉了呢？ 這種情況會帶來取向的轉(zhuǎn)變嗎？ 我記得一般認為回復(fù)過程不影響組織的取向變化的吧。是否由于大變形的樣品中有很高密度的缺陷，回復(fù)的作用表現(xiàn)的異常明顯，造成位錯重組重排的絕對量非常大，而造成了晶粒之間的轉(zhuǎn)動使得取向發(fā)生變化呢？ t-EBSD的步長非常小，我用的5nm和10nm的做的。掃描區(qū)域面積10μm X 6 μm ， 加速電壓30kV。 組織非常典型的lamellar structure。板條內(nèi)幾乎沒有亞晶界，大角度晶界分數(shù)>70%。 |
9樓2015-09-06 10:07:07
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2樓2015-09-03 09:12:43
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3樓2015-09-03 12:24:32
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4樓2015-09-03 22:48:16
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