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Litter_horsr銀蟲 (小有名氣)
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[求助]
CLNEB計算過渡態(tài)的問題 已有1人參與
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參照說明書,我做了在氧化鎵表面吸附H2的過程過渡態(tài) 由于已經(jīng)有文獻給出H2吸附在表面時,它的穩(wěn)定結構,所以就沒有再去過多的考慮可能的吸附情況,直接采用最穩(wěn)定結構作為終態(tài)進行優(yōu)化。初始態(tài)是H2分子物理吸附在表面,距離表面高度為0.7A 優(yōu)化和Clneb時候的IBCAR設置: 優(yōu)化時: SYSTEM=GaO ENCUT=480 ISTART=0 ICHARG=2 ISMEAR=0 SIGMA=0.02 NSW=500 IBRION=2 ISIF=2 EDIFF=1E-5 EDIFFG=-0.01 NELM=180 LORBIT=0 POTIM=0.08 PREC=Accurate 初態(tài)和終態(tài)的結構優(yōu)化之后,插入四個鏡像 。00-05 SYSTEM=GaO ENCUT=480 ISTART=0 ICHARG=2 ISMEAR=0 SIGMA=0.02 NSW=500 ISIF=2 EDIFF=1E-5 EDIFFG=-0.1 NELM=180 LORBIT=0 PREC=Accurate #for Clneb IBRION=3 POTIM=0 IOPT=0 ICHAIN=0 LCLIMB=.TURE. SPRING=-5 IMAGES=4 結果能夠運行,但是一直優(yōu)化不完,最后一步的時候提示: 500 F= -.24183396E+03 E0= -.24183396E+03 d E =0.334694E-09 quench: g(F)= 0.000E+00 g(S)= 0.000E+00 dE (1.order)= 0.000E+00 writing wavefunctions real 28323.73 user 450211.62 sys 342.69 Sat Sep 5 17:00:42 CST 2015 并且查看原子間力的時候,有如下(nebef.pl腳本) 0 0.000000 -241.833900 0.000000 1 0.000000 -240.388700 1.445200 2 0.000000 -239.776100 2.057800 3 0.000000 -240.928700 0.905200 力全部為0…… 請問: 1、過渡態(tài)計算為什么不收斂? 2、利用CLNEB主要采用力作為收斂條件,但是這個力全部為0.怎么解決? |

金蟲 (正式寫手)
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任務提交命令有問題,你是在超算中心算的還是自己的服務器上,VTSY腳本編譯進去了嗎 發(fā)自小木蟲Android客戶端 |
金蟲 (正式寫手)
金蟲 (正式寫手)
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這是我在超算中心的提交方法,你如果已經(jīng)編譯VTST腳本了,參照我的方法做一下改動試試 1)vasp和vasp-vtsts早加入到環(huán)境變量設置文件.bash_profile中了 2)提交vasp的計算腳本: bsub -J job_name -q q_x86_kanglh -n 48 -o log.txt?~/apps/vasp/5.3.2/x86_64/bin/vasp 3)提交vasp-vtst的計算腳本: bsub -J job_name -q q_x86_kanglh -n 48 -o log.txt ~/apps/vasp-vtst/5.3.2/x86_64/bin/vasp-vtst 發(fā)自小木蟲Android客戶端 |
銀蟲 (小有名氣)

榮譽版主 (知名作家)
老和山猥瑣派九段
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1. VASP自身并不帶climbing功能,需要把vtstcode加進vasp編譯。 2. IOPT =0 是什么意思?如果加入了vtstcode代碼,建議用更高效的優(yōu)化器(調整IOPT=?)。請搜索neb tst 3. 反應路徑計算,失敗的幾率很大,因此需要注意優(yōu)化策略。最好不要一上來就高精度。 EDIFF=1E-5 !作死 EDIFFG=-0.01 !一上來就這樣的精度,作死 NELM=180 !正常情況下,離子步如果40步以內不收斂,說明結構及其不合理。默認即可。 LORBIT=0 POTIM=0.08 !請用CNEB的優(yōu)化器,POTIM = 0, IBRION = 3. PREC=Accurate !這個,看你的系統(tǒng)精度。如果對路徑和計算技術本身不是很熟悉,可以考慮先Normal. 搜索出個大概來了,再Accurate. LCLIMB = .TRUE. !一開始的時候最好關掉。先搜索出路徑的整體輪廓來(EDIFFG=-0.03~-0.05),然后再打開。 4. 反應路徑計算費神勞力,需要較多的低精度測試計算來加深對反應過程的理解和把握,最后在低精度計算篩選出來的少數(shù)可信的路徑上提高精度才是有智慧的表現(xiàn)。 |
金蟲 (正式寫手)
銀蟲 (小有名氣)

木蟲 (小有名氣)
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您好,我有個關于過渡態(tài)計算的問題想請教一下, 在尋找過渡態(tài)的時候,我首先插入了3個點(00 01 02 03 04),EDIFF=1E-3 EDIFFG=-0.2 計算收斂后,查看插入點的結構發(fā)現(xiàn),過渡態(tài)應該存在于02 和03結構之間,那么此時,我是直接用之前粗優(yōu)化的(EDIFF=1E-3 EDIFFG=-0.2)02 03 的結構拿來做下一輪尋找過渡態(tài)的始末結構呢? 還是先在原來的基礎上先提高精度(EDIFF=1E-5 EDIFFG=-0.02)把02 03結構優(yōu)化好一點之后再進行下一步(區(qū)間)的過渡態(tài)收索? |


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