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絕對單層石墨烯的大面積合成
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小弟正準(zhǔn)備合成石墨烯，做一些器件，導(dǎo)師讓搜一些文獻(xiàn)。知識海洋中，偶爾發(fā)現(xiàn)一篇亮點文獻(xiàn)，諸如大海中發(fā)現(xiàn)了一個燈塔，照亮了我實驗的方向。有好東西，不敢私藏，拿出來給大家共享。 石墨烯合成的難題：自從2009年Ruoff組在science上介紹了銅箔基底上生長大面積單層石墨烯的文章 （見附件02.銅基底生長大面積單層石墨烯）。在銅基底上生長單層石墨烯的文章有如雨后春筍，引用ruoff2009 文章的工作大于5000件。然而，其工作的缺點在于，單層石墨烯所占總面積的比率為95%，其他的不純度5%為雙層和寡層。然而，科研工作者們，一直沒有很好的解決這個問題。 對于難題的攻克：大面積絕對單層的突破，在今年的5月份得到發(fā)布，見附件文章（01.大面積絕對單層石墨烯的CVD合成）。該工作發(fā)現(xiàn)，這些兩層或寡層的石墨烯不純（5%）在氫氣熱退火的步驟中就已經(jīng)形成了（石墨烯化學(xué)氣相沉積，通常包括兩個步驟，也就是氫氣熱退火，以及含碳前驅(qū)體反應(yīng)沉積石墨烯）。因為，為了消除這些不純，作者提出了用空氣灼燒不純的概念，即在石墨烯不純（碎片）形成后，引入微量空氣，進(jìn)行高溫灼燒。因此達(dá)到了清潔銅箔表面的效果。  在此之后，通過一個普通的化學(xué)氣相沉積，作者實現(xiàn)了絕對單層石墨烯的合成（有原子力顯微鏡，掃描電鏡，拉曼mapping, 透射電鏡等多種手段加以佐證）。在電子支撐材料上，展示了轉(zhuǎn)移后的接近2cm*1.5cm尺寸的大面積石墨烯照片。 此種合成方法，適宜于初學(xué)CVD制備石墨烯的同學(xué)，以及做石墨烯中等水平的同學(xué)學(xué)習(xí)了。 擴(kuò)展閱讀：該研究團(tuán)隊，還利用這個干凈的銅基底，利用dip coating的方法，在表面吸附了一些有機(jī)溶劑分子（例如酒精，異丙醇，丙酮等等），然后，通過一步氫氣熱退火，來獲取了高質(zhì)量的石墨烯flake （碎片）陣列。見附件文章：（03. 一步法利用吸附的有機(jī)分子生長高質(zhì)量的石墨烯） |
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- 附件 2 : 01.大面積絕對單層石墨烯的CVD合成_ESI.pdf
- 附件 3 : 02.銅基底生長大面積單層石墨烯.pdf
- 附件 4 : 02.銅基底生長大面積單層石墨烯ESI.pdf
- 附件 5 : 03._一步法利用吸附的有機(jī)分子生長高質(zhì)量的石墨烯.pdf
- 附件 6 : 03._一步法利用吸附的有機(jī)分子生長高質(zhì)量的石墨烯ESI.pdf
2015-09-11 00:41:59, 7.76 M
2015-09-11 00:42:40, 1.44 M
2015-09-11 00:42:49, 474 K
2015-09-11 00:42:55, 555.93 K
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15樓2015-09-12 09:58:16
5樓2015-09-11 14:05:28
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6樓2015-09-11 17:32:04
10樓2015-09-12 03:45:30
簡單回復(fù)
2015-09-11 08:27
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lwg33樓
2015-09-11 09:54
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蝸牛夢4樓
2015-09-11 10:39
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2015-09-11 17:32
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zhaocl8樓
2015-09-11 21:46
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羅納爾多9樓
2015-09-12 01:17
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zjjxl11樓
2015-09-12 07:30
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lhw796212樓
2015-09-12 08:54
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馬踏冰河13樓
2015-09-12 09:50
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shiyunbuji14樓
2015-09-12 09:57
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