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[交流]
請教一下關(guān)于外延生長的概念問題。
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和各位請教一個問題: 一般而言,按照襯底和薄膜錯配度的差別,可以將薄膜分為同質(zhì)外延和異質(zhì)外延兩類生長過程。生長方式有臺階生長和2維晶核等幾種方式。 按照定義,外延生長應(yīng)該是襯底與薄膜整體上保持一致或相近的晶體取向。 那么,當(dāng)薄膜和襯底的錯配度相差很大(>10%)時,薄膜生長后與襯底間并沒有形成明顯的取向關(guān)系,氣-固界面的形核-生長行為還能否稱為“外延生長”呢?是否有相關(guān)的術(shù)語來定義這個過程嗎? 還是應(yīng)該稱為“沉積”過程更合適? 是否有詳細(xì)解釋“外延形核”和“沉積形核“生長過程區(qū)別的相關(guān)書籍,可以推薦一下嗎? 先謝謝各位! |
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