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thmnb59銀蟲(chóng) (初入文壇)
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關(guān)于舉辦“納米級(jí)低功耗容錯(cuò)數(shù)字IC設(shè)計(jì)高級(jí)培訓(xùn)班”的通知（培訓(xùn)+證書(shū)） 已有1人參與
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工業(yè)和信息化部人才交流中心 比利時(shí)微電子研究中心IMEC 關(guān)于舉辦“納米級(jí)低功耗容錯(cuò)數(shù)字IC設(shè)計(jì)高級(jí)培訓(xùn)班”的通知 各有關(guān)單位： 為貫徹落實(shí)《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》，推進(jìn)工業(yè)和信息化部“軟件和集成電路人才培養(yǎng)計(jì)劃”的實(shí)施，培養(yǎng)一批掌握核心關(guān)鍵技術(shù)，處于世界前沿水平的中青年專(zhuān)家和技術(shù)骨干，以高層次人才隊(duì)伍建設(shè)推動(dòng)共性、關(guān)鍵性、基礎(chǔ)性核心領(lǐng)域的整體突破，促進(jìn)我國(guó)軟件和集成電路產(chǎn)業(yè)持續(xù)快速發(fā)展，工業(yè)和信息化部人才交流中心和比利時(shí)微電子研究中心IMEC定于2015年10月26-27日在北京大學(xué)共同舉辦“納米級(jí)低功耗容錯(cuò)數(shù)字IC設(shè)計(jì)高級(jí)培訓(xùn)班”，邀請(qǐng)世界數(shù)字IC設(shè)計(jì)領(lǐng)域著名專(zhuān)家、荷蘭埃因霍芬理工大學(xué)教授、比利時(shí)微電子研究中心IMEC研究員Hailong Jiao授課。 本次課程首先介紹納米級(jí)集成電路設(shè)計(jì)面臨的挑戰(zhàn)，隨后講解多種先進(jìn)的低功耗設(shè)計(jì)技術(shù)，涉及到技術(shù)原理（設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)、休眠晶體管尺寸、物理設(shè)計(jì)等）和電源門(mén)控設(shè)計(jì)的高級(jí)主題 （噪聲抑制、數(shù)據(jù)保留、存儲(chǔ)電源門(mén)控等）。還將介紹適用于移動(dòng)和可穿戴設(shè)備主動(dòng)節(jié)電的超低電壓設(shè)計(jì)技術(shù)（如晶體管尺寸）。最后針對(duì)工藝、電壓和溫度變化下的設(shè)計(jì)裕度降低以及老化效應(yīng)，介紹新的低功耗范式（例如better-than-worst-case設(shè)計(jì)）、容錯(cuò)電路和系統(tǒng)設(shè)計(jì)技術(shù)。 現(xiàn)將有關(guān)事宜通知如下： 一、主辦單位 工業(yè)和信息化部人才交流中心 比利時(shí)微電子研究中心（IMEC） 二、協(xié)辦單位 北京大學(xué)（信息科學(xué)技術(shù)學(xué)院） 麥姆斯咨詢(xún) 三、參加對(duì)象 本次課程面向相關(guān)集成電路企業(yè)、科研院所和高等院校從事相關(guān)領(lǐng)域的工程師和研究人員。課程采用中文授課，英文PPT課件，要求學(xué)員具備相應(yīng)英語(yǔ)水平。 四、培訓(xùn)安排 培訓(xùn)時(shí)間：2015年10月26-27日（2天） 培訓(xùn)地點(diǎn)：北京大學(xué)（微納電子大廈），北京市海淀區(qū)頤和園路5號(hào) 日程安排： 10月25日下午15:00-17:00報(bào)到 10月26日上午8:30舉行開(kāi)班儀式 10月27日下午17:00舉行結(jié)業(yè)儀式 其余為上課時(shí)間：上午8:30-12:00，下午14:00-17:30 結(jié)業(yè)儀式將頒發(fā)工業(yè)和信息化部人才交流中心和比利時(shí)微電子研究中心（IMEC）共同證書(shū)，參加培訓(xùn)者可推薦參加國(guó)家“軟件和集成電路人才培養(yǎng)計(jì)劃”評(píng)選。 五、報(bào)名方式 請(qǐng)各單位收到通知后，積極選派人員參加。請(qǐng)發(fā)送Email至麥姆斯咨詢(xún)。 郵件題目格式為：報(bào)名納米級(jí)低功耗容錯(cuò)數(shù)字IC設(shè)計(jì)高級(jí)培訓(xùn)班+單位+人數(shù) 麥姆斯咨詢(xún)： 聯(lián)系人：吳越 電話：15190305084 E-mail：WuYue@MEMSConsulting.com 附件1：課程大綱 Day One 第一天 1. Nanoscale IC design challenge The important design challenges and issues in nanoscale digital integrated circuits The behaviors of transistors and circuits under the influence of short channel effects The effects of process variations and temperature on nanoscale transistors and circuits 納米級(jí)IC設(shè)計(jì)挑戰(zhàn) 納米級(jí)數(shù)字集成電路中重要的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)和問(wèn)題 短溝道效應(yīng)的影響下的晶體管和電路行為 工藝變化和溫度對(duì)納米晶體管和電路的影響 2. low power design techniques The different sources of power consumption in active circuits and idle circuits The state-of-the-art low power design techniques for reducing dynamic power consumption as well as leakage power consumption 低功耗設(shè)計(jì)技術(shù) 有源電路和空載電路中功耗的不同來(lái)源 為減少動(dòng)態(tài)功耗和泄漏功耗的領(lǐng)先低功耗設(shè)計(jì)技術(shù) 3. Power gating I—Fundamentals Power gating is the most commonly used leakage power reduction technique in idle circuits. In this session, the concept of power gating is introduced. Different implementation styles of power gating are presented. A variety of design challenges for implementing power gating is examined. The methods to size sleep transistors for power-gated circuits are explored. Different techniques to reduce the sizes of sleep transistors are introduced. 電源門(mén)控第一部分—原理 電源門(mén)控是空載電路中最常用的減少泄漏功率的技術(shù)。本部分介紹電源門(mén)控設(shè)計(jì)的概念，并講述電源門(mén)控不同的實(shí)現(xiàn)風(fēng)格。本部分將檢視實(shí)現(xiàn)電源門(mén)控面臨的各類(lèi)設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)，還將探討為電源門(mén)控電路確認(rèn)休眠晶體管尺寸的方法。同時(shí)介紹縮小休眠晶體管尺寸的不同技術(shù)。 4. Power Gating II—Advanced topics In order to solve the various design issues with power gating, several advanced topics for implementing power gating are presented in this session. First of all, the mode transition scheduling techniques are explained to reduce the mode transition noise, delay, and energy overhead of power-gated circuits. Afterwards, how to implementing data retention in flip-flops and SRAM circuits are investigated. Finally, the tricks to implement power gating in back-end flow are introduced. 電源門(mén)控第二部分—高級(jí)主題 為解決電源門(mén)控中的各種設(shè)計(jì)問(wèn)題，本部分將講述實(shí)現(xiàn)電源門(mén)控中的一些高級(jí)主題。首先，將解釋模式切換調(diào)度技術(shù)，用以降低電源門(mén)控電路的模式切換噪聲、延遲和能源開(kāi)銷(xiāo)。之后，將深入研究如何在觸發(fā)器和SRAM電路中實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)保留。最后將介紹在后端流程中實(shí)現(xiàn)電源門(mén)控的技巧。 Day Two 第二天 5. Ultra-low voltage IC design The energy profile of integrated circuits with voltage scaling is explored. The reasons why people would like to go to subthreshold region or near-threshold region for circuit operations are explained. The behavior of logic circuits in near-/sub-threshold regions is presented. The corresponding design challenges in ultra-low voltage regions are revealed. A new methodology for subthreshold standard cell library design is introduced. The challenges of SRAM circuit design in ultra-low voltage region are introduced. Different techniques to facilitate ultra-low voltage SRAM circuit design are presented. 超低電壓IC設(shè)計(jì) 將結(jié)合電壓縮放探討集成電路的能線圖，并解釋為什么人們會(huì)喜歡去亞閾區(qū)或近閾區(qū)進(jìn)行電路操作。講述亞閾區(qū)和近閾區(qū)邏輯電路的行為，并揭示超低電壓區(qū)相應(yīng)的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。同時(shí)介紹閾下標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)的設(shè)計(jì)的新方法。 本部分將介紹超低電壓區(qū)域SRAM電路設(shè)計(jì)面臨的挑戰(zhàn)，并講述輔助超低電壓SRAM電路設(shè)計(jì)的不同技術(shù)。 6. Error-resilient circuit and system design The influence of process, temperature, and voltage variations as well as aging and soft errors is so significant that designers have to leave large margins to deal with the worst-case scenario. The concept of “better-than-worst-case” design is introduced in this session. Different circuit techniques to deal with the timing violations under the influence of process, temperature, and voltage variations are explored. Furthermore, techniques to deal with the aging issues are investigated. 容錯(cuò)電路和系統(tǒng)設(shè)計(jì) 工藝、溫度、電壓的變化以及老化和軟錯(cuò)誤的影響是如此重要，以至于設(shè)計(jì)者不得不留出大的裕度以應(yīng)付最壞的情況。此部分將介紹"better-than-worst-case "設(shè)計(jì)的概念，并探討在工藝、 溫度、電壓的變化的影響下處理時(shí)序沖突的電路技術(shù)。此外，還將深入研究應(yīng)對(duì)老化問(wèn)題的技術(shù)。 附件2：授課專(zhuān)家簡(jiǎn)介 Hailong Jiao 埃因霍芬理工大學(xué)教授，比利時(shí)微電子研究中心IMEC研究員 Hailong Jiao于香港科技大學(xué)獲得電子和計(jì)算機(jī)工程博士學(xué)位后進(jìn)入荷蘭埃因霍芬理工大學(xué)電氣工程系的電子系統(tǒng)團(tuán)隊(duì)，并被評(píng)為教授，同時(shí)還兼任比利時(shí)微電子研究中心IMEC研究員。他的主要研究領(lǐng)域是低功耗和超低功耗的容錯(cuò)VLSI電路與系統(tǒng)設(shè)計(jì)，包括容錯(cuò)系統(tǒng)、近似計(jì)算、超動(dòng)態(tài)電壓縮放、電源-地門(mén)控技術(shù)、穩(wěn)健和高能效的電源分布網(wǎng)絡(luò)、低功耗和穩(wěn)健存儲(chǔ)器電路和容噪聲互連等，同時(shí)還致力于新興設(shè)備和設(shè)備-電路協(xié)同設(shè)計(jì)、3D集成和可制造性設(shè)計(jì)。他合著并發(fā)表在國(guó)際性期刊和大會(huì)的論文30余篇，并擁有2項(xiàng)專(zhuān)利。他是Elsevier Microelectronics Journal 和World Scientific Journal of Circuits, Systems, and Computers的副編輯，同時(shí)擔(dān)任了多個(gè)會(huì)議的技術(shù)委員會(huì)成員，包括：IEEE Asia and South Pacific Design Automation Conference (ASP-DAC 2016)、HiPEAC 2015 (MemTDAC: Memristor Technology, Design, Automation and Computing)、IEEE Computer Society Annual Symposium on VLSI (ISVLSI 2014, 2015)、ACM/SIGDA Great Lakes Symposium on VLSI (GLSVLSI 2011) 附件3：主辦單位介紹 工業(yè)和信息化部人才交流中心（國(guó)家IC人才培養(yǎng)平臺(tái)）是工業(yè)和信息化部負(fù)責(zé)人才培養(yǎng)、國(guó)際交流合作、智力引進(jìn)、人才戰(zhàn)略研究和咨詢(xún)等工作的直屬一類(lèi)事業(yè)單位，圍繞國(guó)家和工業(yè)和信息化部的重大工程和重點(diǎn)領(lǐng)域開(kāi)展相關(guān)工作。目前承擔(dān)國(guó)家“軟件和集成電路人才培養(yǎng)計(jì)劃”和“高端裝備人才培養(yǎng)計(jì)劃”的組織實(shí)施工作。中心與世界頂尖科研機(jī)構(gòu)和著名跨國(guó)公司、高校如比利時(shí)IMEC、德國(guó)弗朗霍夫研究院、美國(guó)麻省理工學(xué)院計(jì)算機(jī)中心、斯坦福大學(xué)、IBM、MICROSOFT、CISCO、芬蘭NOKIA、瑞士洛桑國(guó)際學(xué)院、西班牙IESE商學(xué)院等長(zhǎng)期開(kāi)展合作。 比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)，成立于1984年，位于比利時(shí)魯汶市，是全球最先進(jìn)的獨(dú)立微電子研究機(jī)構(gòu)。研究方向主要集中在信息和通信技術(shù)、醫(yī)療保健和能源等領(lǐng)域，領(lǐng)先產(chǎn)業(yè)界3至10年的技術(shù)需要，在全球半導(dǎo)體界備受推崇。IMEC目前擁有來(lái)自75個(gè)國(guó)家和地區(qū)的員工超過(guò)2000名，其中包括超過(guò)600名產(chǎn)業(yè)界的常駐研究員和客座研究員。合作伙伴包括英特爾，臺(tái)積電，三星，高通，應(yīng)用材料等世界知名公司。除總部在比利時(shí)魯汶外，IMEC在荷蘭、臺(tái)灣、中國(guó)、印度、美國(guó)及日本均設(shè)有分部。 |
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