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thegarfield鐵桿木蟲 (著名寫手)
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[求助]
binding energy和PL中譜峰位置有什么關(guān)系？ 已有1人參與
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看文獻時發(fā)現(xiàn)，對于半導(dǎo)體中參雜元素 If we assume a bound exciton binding energy of - 3 meV then the 0.795 eV peak would be separated from the band edge by 6 meV. The effective mass donor binding energy in In0.53 Ga.0.47 As is 3 meV; however, from luminescence measurements a binding energy of -7 meV is deduced. We therefore assign the 0.795 eV peak to a donor-to-valence band transition.？ 之前也有文獻中談到過C、Zn等摻雜元素的binding energy，但是一直沒搞清楚binding energy和PL譜有什么關(guān)系，PL中峰位是怎么確定出來的？ 求大神指導(dǎo)呀�。�！不甚感激！�。� |
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【答案】應(yīng)助回帖
★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
thegarfield: 金幣+10, ★★★很有幫助 2015-10-19 11:09:41
thegarfield: 金幣+10, ★★★很有幫助 2015-10-19 11:09:41
| 沒有直接的關(guān)系，依我的理解，結(jié)合能的測定用的是XPS，那是可以測定材料中元素價態(tài)和相對含量的，也就是說材料中存在一些缺陷，是能夠通過XPS推斷出來的，所以現(xiàn)在很多研究缺陷發(fā)光的文章會用的XPS，就是為了輔助說明這些缺陷的發(fā)光是由什么類型的發(fā)光導(dǎo)致的，而且關(guān)于缺陷，現(xiàn)在也有很多是屬于猜測階段，因為研究起來相當有困難 |
2樓2015-10-18 14:39:21
thegarfield
鐵桿木蟲 (著名寫手)
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3樓2015-10-19 11:09:28
4樓2015-10-19 18:36:52
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