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如果用磁控濺射過載功率提高濺射速率,會對濺射源或者濺射臺有什么影響么? 已有1人參與
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如果磁控濺射金屬,提高功率,會有什么危害,應該從哪方面考慮? 1. 設備硬件方面,可能會有因功率過大引起的靶材熔掉,這個會對濺射源和磁場什么的有影響嗎? 2. 從成膜質(zhì)量上看,膜質(zhì)會致密,反射率會高,膜層與基片的接觸會變好,其他會有什么影響么?尤其是變壞的參數(shù)。 ![]() ![]() |

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