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kbfans新蟲 (初入文壇)
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[交流]
AFORS-Het中非晶硅的缺陷設(shè)置問題 已有1人參與
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| 在Afors-Het中,一般將非晶硅的缺陷設(shè)置為帶尾和雙高斯的缺陷,向高手請教一下,這個帶尾的寬度我該如何設(shè)置,并且高斯峰的峰位我該如何確定,它們和摻雜濃度與缺陷態(tài)密度是否存在什么關(guān)聯(lián)。我自己感覺,是不是P/I/N型的雙高斯的峰位是不是都確定的,因為Si-,Si0,Si+不是在非晶材料具有確定的能級嗎?它的高斯峰的寬度又如何呢 |
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