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gaoxin6825鐵桿木蟲 (著名寫手)
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[求助]
化學(xué)氣相沉積法制備石墨烯 已有3人參與
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| 我想問一下,以甲烷為碳源,鎳為基底化學(xué)氣相沉積制備石墨烯的最低溫度是多少,最好能有個參考文獻(xiàn)。 |
鐵桿木蟲 (著名寫手)
金蟲 (小有名氣)

金蟲 (小有名氣)
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麻省理工學(xué)院的J. Kong 研究組通過電子束沉積的方法,在硅片表面沉積500 nm 的多晶Ni 膜作為生長基體,利用CH4 為碳源、H2 為載氣的CVD 法生長石墨烯, 生長溫度為900~1000攝氏度。 參考文獻(xiàn):Reina A, Jia X T, Ho J, et al. Large area, few-layer graphene films on arbitrary substrates by chemical vapor deposition [J].Nano Letters, 2009, 9(1): 30-35。 希望樓主能用的著。 |

金蟲 (小有名氣)
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對啊,c v d的溫度本來就決定于碳源的分解溫度的,溫度再低可能甲烷都沒分解,如果有相關(guān)文獻(xiàn),再與你分享吧 發(fā)自小木蟲Android客戶端 |

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