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[交流]
PWSCF計算的態(tài)密度和vasp軟件計算得到的態(tài)密度不一致
求助:
發(fā)現(xiàn)PWSCF計算的態(tài)密度和vasp軟件計算得到的態(tài)密度定性上都有差別, pwscf計算得到的是金屬性的,但是vasp計算得到的確實半導體特性的,真是暈倒了。
另外:關于PWSCF計算態(tài)密度和能帶的步驟大家覺得這樣對嗎?
態(tài)密度: relax-scf-nscf-dos
能帶計算: relax-scf-nscf-bands
pwscf的參數(shù)設置是:
&control
calculation='scf',
prefix='abc'
pseudo_dir = '/home//QE/pseudo',
outdir='./',
/
&system
ibrav = 0, nat= 4, ntyp= 3,
ecutwfc = 40
ecutrho=400
occupations='tetrahedra'
/
&electrons
electron_maxstep= 200
diagonalization='david'
mixing_beta = 0.7
conv_thr = 1.0d-8
/
。。。。。。。。
vasp的INCAR設置:
# Startparameter for this run:
SYSTEM = test
ENCUT = 400 eV
NELM = 160
NELMIN = 8
EDIFF = 1.0E-05
# EDIFFG = -0.05
# NSW = 200
# IBRION = 2
# ISIF = 2
ISMEAR = 0
SIGMA = 0.2
LORBIT = 10
NEDOS=1000
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