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tcheng92金蟲 (小有名氣)
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[求助]
用VASP計算含有O缺陷的Ga2O3結(jié)構(gòu)優(yōu)化的問題
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本人想計算一下含有O缺陷的 b-Ga2O3的DOS和bands相關(guān)的信息,但是在結(jié)構(gòu)優(yōu)化過程中出現(xiàn)了一些問題 我是用MS建的b-Ga2O3的模型,對最短的b方向超胞成2倍,然后在其中去掉一個氧原子,導(dǎo)出變成POSCAR;然后利用vasp對其進行結(jié)構(gòu)優(yōu)化,在優(yōu)化的過程中我用的是GGA并且不優(yōu)化晶格參數(shù),只優(yōu)化其中的離子位置;但是優(yōu)化以后的結(jié)構(gòu)與輸入的結(jié)構(gòu)差距非常大,以至于后面的計算中DOS和bands都成了連續(xù)的,與實際不符,以下貼出我的結(jié)構(gòu)和輸入文件,希望有大神幫忙解釋一下 ps:計算過程中我加了自旋,不知道會不會有影響 ![]() ![]() |
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