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VASP 加電場(chǎng)為什么打不開(kāi)silicene 的帶隙?
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親愛(ài)的蟲(chóng)友,我不是伸手黨,不會(huì)浪費(fèi)大家的時(shí)間,我是VASP 小白,剛開(kāi)始學(xué)習(xí)加電場(chǎng),我看完了小木蟲(chóng)上所以關(guān)于加電場(chǎng)的帖子,不知道大家遇到過(guò)我這個(gè)問(wèn)題嗎? 問(wèn)題簡(jiǎn)述: 最近看到一篇文獻(xiàn), Tunable Bandgap in Silicene and Germanene,dx.doi.org/10.1021/nl203065e |Nano Lett. 2012, 12, 113 – 118, 在這篇文獻(xiàn)里面有關(guān)于加電場(chǎng)的計(jì)算,我就想重復(fù)下。 按照大家的共識(shí): 1.先在未加電場(chǎng)的情況下進(jìn)行幾何優(yōu)化 2.幾何優(yōu)化完后,進(jìn)行靜態(tài)自洽計(jì)算得到WAVECAR和CHGCAR 3.WAVECAR和CHGCAR的基礎(chǔ)上,在INCAR中加入 LDIPOL=.TRUE. IDIPOL=3 EFIELD= ×× (units V/A)再進(jìn)行幾何優(yōu)化。 在自洽和非自洽都加電場(chǎng)。 我的電場(chǎng)已經(jīng)加到了 0.6 , 結(jié)果算出來(lái)的還是一個(gè)半金屬,silicene 的能隙打不開(kāi) 。 請(qǐng)問(wèn)下大家, 有好辦法嗎? |

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