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中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所狄增峰研究員誠(chéng)招博士后
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招聘部門:信息功能材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室SOI材料與器件研究組 招聘方向:二維半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)與物性研究 工作地點(diǎn):上海 招聘要求: 1. 具有半導(dǎo)體、微電子、光電子、功能材料、物理等領(lǐng)域的研究背景和博士學(xué)位; 2. 具有良好的科研道德,工作認(rèn)真,積極主動(dòng),作風(fēng)踏實(shí),身心健康,有較強(qiáng)的溝通能力,能夠從事基礎(chǔ)和應(yīng)用科學(xué)研究的能力; 3. 在二維半導(dǎo)體材料研究方面具有豐富的經(jīng)驗(yàn),對(duì)相關(guān)領(lǐng)域有良好的理解和把握,能獨(dú)立進(jìn)行實(shí)驗(yàn)方案設(shè)計(jì)和實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析。以第一作者發(fā)表1-2篇頂級(jí)學(xué)術(shù)期刊(IF>10.0)的論文。 4. 具有較好的英文讀寫能力,能夠獨(dú)立開展科研工作; 崗位待遇: 工資及福利待遇按國(guó)家博士后相關(guān)規(guī)定和中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所有關(guān)規(guī)定執(zhí)行,優(yōu)秀者可獲特別待遇。支持申請(qǐng)博士后基金以及基金委青年基金。 詳情請(qǐng)來(lái)信咨詢。 應(yīng)聘方式: 申請(qǐng)者以電子郵件的方式提交申請(qǐng)材料,其中包括: 1. 應(yīng)聘者請(qǐng)?zhí)峁﹤(gè)人詳細(xì)簡(jiǎn)歷(包括發(fā)表論文情況和已經(jīng)從事過(guò)的研究工作的總結(jié)); 2. 初選合格者將電話或E-mail通知本人參加面試; 3、參加面試初審者需提供:學(xué)歷、學(xué)位證書復(fù)印件等相關(guān)資料; 聯(lián)系方式 請(qǐng)應(yīng)聘人將申請(qǐng)材料的電子版發(fā)送至聯(lián)系人郵箱,我們會(huì)在收到簡(jiǎn)歷后一周內(nèi)回復(fù)。 郵件題目:博士后—某某某 聯(lián)系人:狄增峰 聯(lián)系郵件: soi@mail.sim.ac.cn 合作導(dǎo)師: 狄增峰,博士,中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所研究員,國(guó)家優(yōu)秀青年基金獲得者,全國(guó)百篇優(yōu)秀博士論文獎(jiǎng)獲得者,中國(guó)科學(xué)院“百人計(jì)劃”,中組部“萬(wàn)人計(jì)劃”青年拔尖人才獲得者。2001年畢業(yè)于南京大學(xué)基礎(chǔ)學(xué)科教學(xué)強(qiáng)化部,2006年在中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所微電子與固體電子學(xué)專業(yè)獲得博士學(xué)位,其中2004年3月至2005年9月在香港城市大學(xué)物理與材料科學(xué)系進(jìn)行聯(lián)合培養(yǎng)。2006年至2010年在美國(guó)能源部Los Alamos國(guó)家實(shí)驗(yàn)室從事博士后研究工作。2010年9月作為海外杰出人才引進(jìn),被中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所聘為研究員。 長(zhǎng)期從事“21世紀(jì)的硅集成電路技術(shù)”—SOI(Silicon-on-Insulator)、低維半導(dǎo)體材料、柔性半導(dǎo)體薄膜轉(zhuǎn)移等方面的研究,取得了一系列重要?jiǎng)?chuàng)新性研究成果,在Adv. Fun. Mater.、Phys. Rev. B以及Appl. Phys. Lett.等國(guó)際學(xué)術(shù)刊物發(fā)表SCI論文70余篇,授權(quán)國(guó)內(nèi)發(fā)明專利20余件,授權(quán)國(guó)際發(fā)明專利4件。 |
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