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lvxinyuabc木蟲 (正式寫手)
材料大數(shù)據(jù)
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[交流]
VASP 計算結(jié)果的合理性如何評判
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對于很多初學(xué)者,一般都是按照手冊進行參數(shù)設(shè)置。但是,聽很多有經(jīng)驗的高手介紹,絕非這么簡單。Vasp計算對于新手來說,在評判結(jié)果的合理性方面都有哪些標準,請有經(jīng)驗的大神分享下自己的經(jīng)驗。幫助新手計算可靠的計算結(jié)果。![]() |

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材料大數(shù)據(jù)

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(5)關(guān)于磁性 一般何時考慮自旋呢?舉例子,例如BaTiO3中,Ba、Ti和O分別為+2,+4和-2價,離子全部為各個軌道滿殼層的結(jié)構(gòu),就不必考慮自旋了;對于BaMnO3中,由于Mn+3價時d軌道還有電子,但未滿,因此需考慮Mn的自旋,至于Ba和O則不必考慮。其實設(shè)定自旋就是給定一個原子磁矩的初始值,只在剛開始計算時作為初始值使用,具體的可參照磁性物理。 (6)關(guān)于幾何優(yōu)化 包括很多種了,比如晶格常數(shù)和原子位置同時優(yōu)化,只優(yōu)化原子位置,只優(yōu)化晶格常數(shù),還有晶格常數(shù)和原子位置分開優(yōu)化等等。 |

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材料大數(shù)據(jù)

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費米面附近能級電子分布的smearing是一種促進收斂的有效方法,可能產(chǎn)生物理意義不明確的分數(shù)占據(jù)態(tài)情況,不過問題不大。在INCAR文件中以ISMEAR來設(shè)置。一般來說K點只有一兩個的時候采用ISMEAR=0,金屬體材料用ISMEAR=1或2,半導(dǎo)體材料用ISMEAR=-5等等。不過有時電子步收斂速度依然很慢,還需要設(shè)置一些算法控制選項,例如設(shè)置ALGO=Very_Fast,減小真空層厚度,減少K點數(shù)目等。 弛豫是一種非常有效的分析計算手段,雖然是靜力學(xué)計算但是往往獲得一些動力學(xué)得不到的結(jié)果。 |

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