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luoyiqiang12金蟲 (小有名氣)
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碳化硅陶瓷是怎么燒制的 發(fā)自小木蟲Android客戶端 |

木蟲 (正式寫手)

木蟲 (正式寫手)
名字好幼稚的。。。

金蟲 (小有名氣)
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| 碳化硅陶瓷的制備方法主要有常壓燒結、熱壓燒結、反應燒結、高溫等靜壓燒結。用化學氣相沉積(CVD)法可制備碳化硅陶瓷薄膜。提高碳化硅陶瓷的燒結致密度,可加入一定量的 B、C、B4C、Al2O3、AlN、BeO和Al 等作為燒結助劑。碳化硅是共價鍵很強的化合物,在常壓下很難使其完全致密化,只能得到接近理論密度95%的碳化硅陶瓷。熱壓燒結和高溫等靜壓燒結可制備高致密碳化硅陶瓷,燒結溫度在1950~2100℃,制品性能好,難以制造形狀復雜的制品,且成本高。反應燒結由α-SiC和石墨粉末按一定比例混合壓成坯體,加熱使之與熔融的液態(tài)Si或氣相Si反應,生成 β-SiC。燒結溫度較低 (1400~1600℃),可制造形狀復雜的制品,缺點是坯體中殘留8%~20%的游離硅,限制其高溫力學性能及在強酸強堿中的應用。SiC陶瓷不僅具有室溫強度高、耐腐蝕、耐磨和低摩擦系數,而且具有較高的高溫強度和抗蠕變性能,使用溫度可達1600℃,是目前已知的陶瓷材料中高溫抗氧化、強度最好的材料。缺點是脆性大,斷裂韌性較低。采用纖維、晶須和顆粒可增韌補強SiC陶瓷,明顯提高SiC陶瓷的韌性和強度。 |
金蟲 (小有名氣)
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