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pn結耗盡層寬度計算
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各位大牛,小弟請教一個很弱的問題。關于pn結耗盡層厚度計算方面的。 根據(jù)pn結的耗盡模型,我覺得耗盡層公式當中所謂的Na應該等于自由載流子密度,而非摻雜受主濃度。 可是,最近投一篇文章,算了耗盡層寬度,其他三個審稿人都沒提到這個問題,就一個審稿人說我算的不對,應該是受主的濃度,而非自由載流子密度。 在GaN、ZnO等材料的p型摻雜中,自由空穴濃度和受主濃度差了至少一個量級的,所以這兩者算出來的耗盡層厚度會差的非常多。 我看了半天耗盡層模型,感覺怎么著都是自由載流子密度,雖然所有教科書上都寫受主濃度,但這些公司畢竟都是在硅材料基礎上寫的,沒有具體考慮到GaN等材料的特性。 不知我說的是否有道理,請各位指教。 另外,如果被我說中了,那我該怎么謹慎回復審稿人呢?多謝啦!! [ 發(fā)自手機版 http://www.gaoyang168.com/3g ] |
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