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yinianyici新蟲 (初入文壇)
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[求助]
關(guān)于耐高溫SiC芯片在AlN基座上粘結(jié)固定的問題 已有2人參與
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請問，怎么實(shí)現(xiàn)SiC芯片在AlN基座上的粘結(jié)固定？用玻璃粘結(jié)的話，因?yàn)樾酒ぷ鳒囟瓤蛇_(dá)1200 C，玻璃粘結(jié)也不可靠，有沒有 什么粘結(jié)固定方案？或者我應(yīng)該從哪里著手解決這個問題？ |
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2樓2016-03-08 19:57:22
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3樓2016-03-08 21:07:30
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4樓2016-03-08 21:15:38
igzotft
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1. 1st step---metallization on AlN ceramic substrate. You can have Cu sheets or plates dir bonded on AlN susbstra by DBC (direct bond copper) or AMB(active metal brazing) process. 2. 2nd step----SiC chip bonded on the metallized AlN substrate. SiC chip is able to joined on the Cu sheet through wire bonding or soldering process with active-metal containing filler material. . |
5樓2016-03-10 17:15:18
igzotft
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【答案】應(yīng)助回帖
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感謝參與，應(yīng)助指數(shù) +1
yinianyici: 金幣+5, ★★★很有幫助, Does this method satisfy the high temperature(1200 C) condition? 2016-03-11 16:39:31
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yinianyici: 金幣+5, ★★★很有幫助, Does this method satisfy the high temperature(1200 C) condition? 2016-03-11 16:39:31
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1. 1st step--Bonding copper sheet or sheet with AlN ceramic substrate by DBC or AMB process. 2. 2nd step--Bonding SiC chip with Cu metallizated AlN susbstrate through soldering or wire bonding process. |
6樓2016-03-10 17:25:08
感謝參與，應(yīng)助指數(shù) +1
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7樓2016-03-11 09:35:21
yinianyici
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8樓2016-03-11 16:55:30
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