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急急急。AO 模板法電沉積納米線
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本人在用AAO模板法沉積Au/CdSe金屬半導(dǎo)體多段納米線中, 實驗中采用雙槽法,即Au和CdSe溶液分別置于兩個燒杯中,交替更換溶液進行沉積。 沉積CdSe納米線的條件:電解液的濃度為0.3mol/L CdSO4,3mmol/L SeO2以及0.25 mol/L H2SO4, 沉積電位-0.7V,CdSe納米線的長度可有沉積的時間控制。 沉積Au納米線的沉積條件:電解液的濃度為100mM/L的HAuCl4和30g/L的H3BO3,沉積電位0.2V, 磁力攪拌的轉(zhuǎn)速為1200轉(zhuǎn)每分鐘,沉積長度可按我們的需求控制沉積時間。 在單獨沉積Au和CdSe時,能得到較好的納米線,但是當(dāng)他們進行交替復(fù)合是, 得到的多段納米線與實驗設(shè)定相差較大,有點甚至得不到多段的形貌,求原因! |
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