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磁控濺射時(shí)加負(fù)偏壓對(duì)薄膜結(jié)晶度的影響 已有2人參與
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本菇?jīng)鍪褂肅ZTS靶材磁控濺射CZTS時(shí),發(fā)現(xiàn)濺射后的CZTS薄膜結(jié)晶度很差,晶粒度特別小,老板讓我下次濺射的時(shí)候加上一定的負(fù)偏壓試試,不知道這個(gè)負(fù)偏壓對(duì)濺射過(guò)程有哪些影響,能不能提高濺射薄膜的結(jié)晶度,多謝各位大俠啦~ 大恩不言謝,小女子直接 ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() 薄膜表面形貌.jpg |
薄膜制備與特性 | 薄膜材料和器件制備 |

金蟲 (小有名氣)
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書有芯片制造,半導(dǎo)體制造技術(shù),刻蝕那部分有講 網(wǎng)上可以搜一下伯克利大學(xué)的semiconductor process課件的刻蝕部分 或者網(wǎng)上搜一下磁控濺射機(jī)臺(tái)的結(jié)構(gòu),應(yīng)該也能零零碎碎找到一些 發(fā)自小木蟲Android客戶端 |
鐵桿木蟲 (著名寫手)


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