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磁控濺射時(shí)加負(fù)偏壓對(duì)薄膜結(jié)晶度的影響 已有2人參與
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本菇?jīng)鍪褂肅ZTS靶材磁控濺射CZTS時(shí)，發(fā)現(xiàn)濺射后的CZTS薄膜結(jié)晶度很差，晶粒度特別小，老板讓我下次濺射的時(shí)候加上一定的負(fù)偏壓試試，不知道這個(gè)負(fù)偏壓對(duì)濺射過(guò)程有哪些影響，能不能提高濺射薄膜的結(jié)晶度，多謝各位大俠啦~ 大恩不言謝，小女子直接  薄膜表面形貌.jpg |
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 薄膜制備與特性 | 薄膜材料和器件制備 |
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2樓2016-03-25 21:44:27
4樓2016-03-26 09:34:49
dorrnm
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【答案】應(yīng)助回帖
感謝參與，應(yīng)助指數(shù) +1
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負(fù)偏壓能增加濺射產(chǎn)額，提高沉積速率。結(jié)晶度主要和退火過(guò)程有關(guān) 發(fā)自小木蟲(chóng)Android客戶端 |
6樓2016-03-26 16:42:13
dorrnm
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yangyueyf: 金幣+20 2016-03-27 08:23:59
yangyueyf: 金幣+20 2016-03-27 08:23:59
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書(shū)有芯片制造，半導(dǎo)體制造技術(shù)，刻蝕那部分有講 網(wǎng)上可以搜一下伯克利大學(xué)的semiconductor process課件的刻蝕部分 或者網(wǎng)上搜一下磁控濺射機(jī)臺(tái)的結(jié)構(gòu)，應(yīng)該也能零零碎碎找到一些 發(fā)自小木蟲(chóng)Android客戶端 |
8樓2016-03-26 21:48:20
cord 
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9樓2016-03-26 22:27:05
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