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zhangfrank金蟲 (正式寫手)
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[求助]
用VASP做MD模擬在高溫情況下材料表面鍵的斷裂，求助！ 已有1人參與
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各位前輩，小弟初次接觸分子動力學仿真。請教下，我最近在用VASP做分子動力學模擬材料的表面在高溫情況下鍵的斷裂情況（也就是看是否有原子在高溫下溢出材料），目前只計算700到900度，每50度一個step。遇到了一些問題，想請教下有經(jīng)驗的前輩： 1.保證四個輸入文件的參數(shù)完全相同，相同溫度下重復了兩次計算，發(fā)現(xiàn)鍵的斷裂情況不一致，發(fā)現(xiàn)有一次表面原子的鍵斷裂了，原子即將溢出材料表面，有一次是沒有鍵斷裂。 2.保證四個輸入文件參數(shù)，除了TEBEG溫度設置不同以外，其他參數(shù)完全相同，但是發(fā)現(xiàn)某次算完，750度的結(jié)果有表面原子鍵斷裂，但是800度沒有鍵斷裂。 以上結(jié)論僅僅是看計算完的CONTCAR 請問這兩個問題（再次計算結(jié)果不能重復，以及低溫反而比高溫鍵更容易斷裂），在分子動力學高溫仿真方面是正常的嗎？ |
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zhangfrank
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6樓2016-07-21 14:42:41
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