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[求助]
【急求】氧等離子體刻蝕對(duì)硅片表面的影響 已有1人參與
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我看好多做平面微型超級(jí)電容器的都用等離子體刻蝕硅片(其上有300nm二氧化硅層)，這么做除了刻蝕表面的雜質(zhì)還可以活化表面么？刻蝕多久比較好，太久會(huì)不會(huì)把二氧化硅層刻蝕掉？有文獻(xiàn)可以參考么？��？ 發(fā)自小木蟲(chóng)Android客戶(hù)端 |
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月牙兒的微笑
版主 (職業(yè)作家)
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2樓2016-10-26 15:28:54
15190052720
新蟲(chóng) (正式寫(xiě)手)
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你說(shuō)的是asher，主要是去除殘膠。對(duì)硅片進(jìn)行表面改質(zhì)。ICP才會(huì)去蝕刻。 發(fā)自小木蟲(chóng)IOS客戶(hù)端 |
3樓2016-10-26 15:35:34
4樓2016-11-09 15:36:54
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“反應(yīng)例子刻蝕是刻蝕硅片或者二氧化硅的”，請(qǐng)問(wèn)這句是什么意思呢？有什么可以具體參考的內(nèi)容呀？有的話可以發(fā)給我么？謝謝 發(fā)自小木蟲(chóng)Android客戶(hù)端 |
5樓2016-11-09 15:39:03
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對(duì)其表面改制的話，我看的文章中寫(xiě)的300wrf10min，可是我們是實(shí)現(xiàn)不了那么大的功率，會(huì)對(duì)改質(zhì)有影響么？有可以參考的文獻(xiàn)什么的么？有的話可以告訴我么？謝謝 發(fā)自小木蟲(chóng)Android客戶(hù)端 |
6樓2016-11-09 15:42:01
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