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【急求】氧等離子體刻蝕對硅片表面的影響 已有1人參與
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我看好多做平面微型超級電容器的都用等離子體刻蝕硅片(其上有300nm二氧化硅層)，這么做除了刻蝕表面的雜質(zhì)還可以活化表面么？刻蝕多久比較好，太久會不會把二氧化硅層刻蝕掉？有文獻可以參考么？��？ 發(fā)自小木蟲Android客戶端 |
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月牙兒的微笑
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2樓2016-10-26 15:28:54
15190052720
新蟲 (正式寫手)
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3樓2016-10-26 15:35:34
4樓2016-11-09 15:36:54
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“反應(yīng)例子刻蝕是刻蝕硅片或者二氧化硅的”，請問這句是什么意思呢？有什么可以具體參考的內(nèi)容呀？有的話可以發(fā)給我么？謝謝 發(fā)自小木蟲Android客戶端 |
5樓2016-11-09 15:39:03
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對其表面改制的話，我看的文章中寫的300wrf10min，可是我們是實現(xiàn)不了那么大的功率，會對改質(zhì)有影響么？有可以參考的文獻什么的么？有的話可以告訴我么？謝謝 發(fā)自小木蟲Android客戶端 |
6樓2016-11-09 15:42:01
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