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高手指點(diǎn):關(guān)于二層二維材料優(yōu)化問(wèn)題,體系能量隨層間距的變化 已有1人參與
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高手指點(diǎn):關(guān)于二層二維材料優(yōu)化問(wèn)題, 體系能量隨層間距的變化,尋找體系最低能量時(shí) ISIF該怎么設(shè)置? 在vasp優(yōu)化時(shí),如果設(shè)置ISIF=2 ,我發(fā)現(xiàn)不同的層間距進(jìn)行優(yōu)化 ,最終優(yōu)化成相同的間距。我該怎么做??? 例如 石墨烯和MoS2 |
第一性原理計(jì)算-tg | 科研 |

木蟲 (著名寫手)
木蟲 (正式寫手)


至尊木蟲 (職業(yè)作家)
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"體系能量隨層間距的變化,尋找體系最低能量時(shí) ISIF該怎么設(shè)置?" ISIF=2。 另外POSCAR里,設(shè)置Selective dynamics,如果原子層是放在xy平面內(nèi),那每個(gè)原子坐標(biāo)后設(shè)置 T T F,即限制z方向的移動(dòng),而允許與原子在xy平面內(nèi)移動(dòng)。 |
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