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高手指點:關(guān)于二層二維材料優(yōu)化問題,體系能量隨層間距的變化 已有1人參與
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高手指點:關(guān)于二層二維材料優(yōu)化問題, 體系能量隨層間距的變化,尋找體系最低能量時 ISIF該怎么設(shè)置? 在vasp優(yōu)化時,如果設(shè)置ISIF=2 ,我發(fā)現(xiàn)不同的層間距進行優(yōu)化 ,最終優(yōu)化成相同的間距。我該怎么做??? 例如 石墨烯和MoS2 |
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至尊木蟲 (職業(yè)作家)




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