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[資源]
關(guān)于極性面鈍化添加贗氫問題！
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記不清楚在那個話題里面見到有人問如何添加贗氫原子來飽和極性面或者消除內(nèi)偶極矩。當時斑竹表示出很大的興趣，讓提供一些這方面文獻資源。很遺憾，當時沒有高手出現(xiàn)解答這個問題，雖然我不是什么高手，但是這個問題我有些心得。當時由于剛做父親（我們家閨女今天5個月零12天），再加上我的CASTEP計算出點問題，一直沒有好好摸索這個問題。 今天有空，就當作送給大伙的新年禮物！ 在二六族、三五族纖鋅礦結(jié)構(gòu)半導體中，由于沿c軸方向缺少鏡面對稱，也就是說在c軸方向上是一層A原子一層B原子堆積而成，這些正負電荷的累積導致沿c軸方向出現(xiàn)一個偶極矩。詳見PHYSICAL REVIEW B 67, 035403 （2003）Density-functional study of the structure and stability of ZnO surfaces。塊體裁成表面時候會出現(xiàn)多種情況（例如電荷轉(zhuǎn)移、表面原子再構(gòu)、吸附雜質(zhì)原子等）消除偶極矩。 于是在第一原理模擬這些極性表面時候要考慮如何消除這個偶極矩，使用第一原理程序包最好最直觀的辦法就是添加贗氫。 VASP里直接提供了很多贗氫如H0.5，H0.75，H0.25，H1.25，等。也就是說這些氫原子是為了某種目的而人為制造的，它的電荷不再是1，而分別為0.5，0.25，0.75，1.25等。 |
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9樓2009-01-03 17:20:59
2樓2009-01-02 11:04:23
3樓2009-01-02 13:24:38
★ ★ ★ ★ ★
fegg7502(金幣+5,VIP+0):Happy new year, you are welcome!
fegg7502(金幣+5,VIP+0):Happy new year, you are welcome!
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回復樓上，并繼續(xù)！ 目前我見到的有關(guān)贗氫鈍化的計算，都是在極性表面上的。如果是模擬極性表面，我覺得需要鈍化！ 以ZnO為例， Import ZnO，然后 Build----Cleave Surface， cleave plane 填寫0 0 1， Top 為0，Depth 3.0，即總共為六個雙層。 繼續(xù)點擊Build---Crystals---Build Vacuum Slab，輸入真空層厚度，大約為1.0nm。確定即可。 待Supercell構(gòu)建成功后，點擊Add atoms， Element 選擇H，Oxidation state選擇吸附原子，輸入想放置原子的具體位置。然后點中添加的原子，修改Property中的FormalCharge。 贗氫在VASP中的解釋就是artificial-atom即人造原子，也就是為了某種需要而認為假設出來的原子，只不過它的電荷數(shù)很接近于H，就如同對H原子作了一個簡單修改而成，所以叫贗氫！ 歡迎討論阿！ [ Last edited by amynliou on 2009-1-3 at 11:13 ] |
4樓2009-01-03 10:54:47
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