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小木蟲論壇-學(xué)術(shù)科研互動平臺 » 材料區(qū) » 材料綜合 » 材料物理 » 磁控濺射退火
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192837465新蟲 (小有名氣)
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[求助]
磁控濺射退火 已有2人參與
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我想做一種鐵氧體薄膜材料，文獻(xiàn)上的制備方法中，是在濺射之前，先把基片溫度升到690度，然后直接在原位690攝氏度的基片上沉積薄膜，然后再降溫降到室溫，最后直接拿出來退火過的薄膜樣品。 可是我們組內(nèi)儀器的加熱溫度最高只能到600攝氏度，所以想請教一下大家，我在室溫的條件下沉積薄膜，然后拿出來再用管式爐，在與濺射氣氛相同的氣氛下退火，這兩種方法制備出來的樣品，會不會有什么差別呢？ 謝謝大家啦，神助攻我會追加小紅花～ 發(fā)自小木蟲IOS客戶端 |
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kangye_1989
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2樓2017-07-03 11:32:19
gtxmc
鐵桿木蟲 (著名寫手)
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【答案】應(yīng)助回帖
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溫度是晶體生長的必要條件，你在室溫下沉積的薄膜與高溫下無論是晶態(tài)還是形貌都會有很大不同，尤其是生長外延薄膜，室溫下基本無法外延，因為室溫下原子無法遷移，長出來的薄膜甚至成分都會有很大偏差，即便目標(biāo)溫度無法達(dá)到也比室溫下要好很多 發(fā)自小木蟲Android客戶端 |
3樓2017-10-18 19:34:47
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