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192837465新蟲 (小有名氣)
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[求助]
磁控濺射退火 已有2人參與
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我想做一種鐵氧體薄膜材料,文獻(xiàn)上的制備方法中,是在濺射之前,先把基片溫度升到690度,然后直接在原位690攝氏度的基片上沉積薄膜,然后再降溫降到室溫,最后直接拿出來退火過的薄膜樣品。 可是我們組內(nèi)儀器的加熱溫度最高只能到600攝氏度,所以想請教一下大家,我在室溫的條件下沉積薄膜,然后拿出來再用管式爐,在與濺射氣氛相同的氣氛下退火,這兩種方法制備出來的樣品,會(huì)不會(huì)有什么差別呢? 謝謝大家啦,神助攻我會(huì)追加小紅花~ 發(fā)自小木蟲IOS客戶端 |
木蟲 (著名寫手)
鐵桿木蟲 (著名寫手)
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溫度是晶體生長的必要條件,你在室溫下沉積的薄膜與高溫下無論是晶態(tài)還是形貌都會(huì)有很大不同,尤其是生長外延薄膜,室溫下基本無法外延,因?yàn)槭覝叵略訜o法遷移,長出來的薄膜甚至成分都會(huì)有很大偏差,即便目標(biāo)溫度無法達(dá)到也比室溫下要好很多 發(fā)自小木蟲Android客戶端 |
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