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光阻涂布晶片內(nèi)外區(qū)域厚度均一性 已有2人參與
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我們公司做芯片制程的,涂布光阻玻璃時,把光阻劑滴在晶片中心,通過旋轉(zhuǎn)離心力的方式使光阻劑全面覆蓋在整個晶片,但是用此方法做,晶片邊緣的光阻劑比中心的厚30%,電性差異大,請問如何才能使整個晶片的內(nèi)外區(qū)域光阻玻璃的厚度一致?請各位大神賜教。 發(fā)自小木蟲Android客戶端 |
銅蟲 (初入文壇)
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對于 TEL 的Track 機臺,都可以通過調(diào)整 程式 來調(diào)整 光阻 涂布的 profile. 一般都是在主轉(zhuǎn)速 部分 前加入 pre-spin 步驟。一般都比主轉(zhuǎn)速大。 然后通過調(diào)整該步驟的的加速度,持續(xù)時間等等來調(diào)整 profile. 程式有足夠的工藝窗口調(diào)整光阻均勻度,也可以調(diào)為 周邊厚或者周邊薄。 除此以外光阻的 dispense rate ,dispense time, 溫度都會產(chǎn)生直接影響。 |

木蟲 (小有名氣)

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