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ilmondo金蟲 (小有名氣)
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量子阱光致熒光強(qiáng)度局部降低的問題 已有1人參與
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本人在GaAs襯底上MOCVD生長的AlGaInP/GaInP MQW,做了室溫PL mapping,發(fā)現(xiàn)局部熒光強(qiáng)度下降,多數(shù)如斑點(diǎn)狀或線狀。奇怪之處是,整片的波長均勻性很好,說明外延層組分均勻。 對(duì)樣品用Candela做了光學(xué)測試。光致熒光強(qiáng)度低的區(qū)域在散射光(Sc)信號(hào)的map中幾乎能一一對(duì)應(yīng),呈弱信號(hào)(即更暗); 這說明較其他區(qū)域的表面更光滑嗎?同時(shí),在Z contrast信號(hào)強(qiáng)度(Sp)的map中也能一一對(duì)應(yīng),呈強(qiáng)信號(hào)(即更明亮); 這說明較其他區(qū)域的表面呈隆起狀嗎? 有圖有真相,請(qǐng)見網(wǎng)盤附件 (鏈接: https://pan.baidu.com/s/187jySYnC3VUVBc618svfdQ?pwd=vdib 提取碼: vdib) 這些異常區(qū)域是怎么回事呢?請(qǐng)各位高手點(diǎn)撥! |
至尊木蟲 (知名作家)

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