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ilmondo金蟲 (小有名氣)
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[求助]
量子阱光致熒光強度局部降低的問題 已有1人參與
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本人在GaAs襯底上MOCVD生長的AlGaInP/GaInP MQW,做了室溫PL mapping,發(fā)現(xiàn)局部熒光強度下降,多數(shù)如斑點狀或線狀。奇怪之處是,整片的波長均勻性很好,說明外延層組分均勻。 對樣品用Candela做了光學測試。光致熒光強度低的區(qū)域在散射光(Sc)信號的map中幾乎能一一對應,呈弱信號(即更暗); 這說明較其他區(qū)域的表面更光滑嗎?同時,在Z contrast信號強度(Sp)的map中也能一一對應,呈強信號(即更明亮); 這說明較其他區(qū)域的表面呈隆起狀嗎? 有圖有真相,請見網盤附件 (鏈接: https://pan.baidu.com/s/187jySYnC3VUVBc618svfdQ?pwd=vdib 提取碼: vdib) 這些異常區(qū)域是怎么回事呢?請各位高手點撥! |
至尊木蟲 (知名作家)

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