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[交流]
【求助】氧空位缺陷降低了功函數(shù)如何做出定性的解釋
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最近一個試驗現(xiàn)象,發(fā)現(xiàn)氧空位缺陷降低了功函數(shù),能否請教大家如何做出定性的解釋。謝謝 [ Last edited by ddx-k on 2009-10-12 at 20:58 ] |
木蟲 (正式寫手)
Nothing is final!

鐵桿木蟲 (正式寫手)
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我給你說一個簡單的解釋。 功函數(shù)的定義是W=E0-Ef,其中,E0是真空能級,Ef是費米能級。如果W降低,很顯然是Ef增大了,或者說,升高了。 對于體系存在O原子,O原子(或O離子)在固體中形成的是離子鍵(當然也可能會有共價成分),但不管怎么說,都是把電子(包括O本身的電子和其他電負性比較低的原子電子)定域在O離子周圍。當出現(xiàn)O空位,其所束縛的其他原子電子就被釋放出來了。這個相當于在體系中摻入了N型施主雜志來釋放電子。而體系電子多了,費米能級就會相應的上升,也就是升高了。換句話說,W減少了。 以上是體相的情況。如果是表面,可能還有費米針扎效應等等,而且理論上的說法并不統(tǒng)一。表面問題很復雜,就不多說了。 |
木蟲 (著名寫手)

金蟲 (小有名氣)
木蟲 (小有名氣)
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各位關于功函數(shù)的理解,感覺還有些問題。 功函數(shù)主要是表面特性。取決于表面真空能級與費米能級的差。費米能級的變化是一方面,更重要的表面真空能級的變化。也就是表面偶極層的變化導致了功函數(shù)的變化。所以應重點考慮表面氧空位。 至于判斷O是施主,很武斷。另外施主導致費米能級上升也是值得商榷的事情。 大家多多討論交流。 zha_gq@hotmail.com |
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