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JCDL401鐵蟲 (初入文壇)
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集成電路關(guān)鍵材料國家工程研究中心（學(xué)碩）歡迎各位同學(xué)前來咨詢18353010708
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集成電路關(guān)鍵材料工程研究中心積累了近60年材料研發(fā)經(jīng)驗。2021年，根據(jù)國家發(fā)改委要求，圍繞關(guān)鍵核心技術(shù)突破、重大科技成果工程化和產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，以服務(wù)國家重大戰(zhàn)略任務(wù)和重點工程實施為目標(biāo)，支撐解決卡脖子問題，原“半導(dǎo)體材料國家工程研究中心”通過系統(tǒng)內(nèi)部整合名稱變更為“集成電路關(guān)鍵材料國家工程研究中心”，通過嚴格的評價考核成功納入國家發(fā)改委首批新序列國家工程研究中心。目前工程中心已涵蓋集成電路半導(dǎo)體硅材料、集成電路化合物半導(dǎo)體和鍺材料、集成電路靶材等多個集成電路關(guān)鍵材料，不斷開展技術(shù)創(chuàng)新和成果轉(zhuǎn)化，有力支撐和保障了我國集成電路產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈安全，推進了我國集成電路關(guān)鍵材料技術(shù)和產(chǎn)業(yè)水平的整體進步和發(fā)展。 集成電路硅材料主要開展8英寸、12英寸、大直徑單晶的研發(fā)，建立12英寸研發(fā)平臺，提升技術(shù)水平形成批量供應(yīng)能力；通過研究直拉單晶生長技術(shù)、區(qū)熔單晶生長技術(shù)、硅拋光片加工技術(shù)、硅部件加工技術(shù)，開展半導(dǎo)體材料工程化技術(shù)創(chuàng)新，提高自主創(chuàng)新能力，加快成果轉(zhuǎn)化。 集成電路靶材和稀貴金屬及功能材料：針對集成電路關(guān)鍵核心材料高純金屬及其合金靶材，開展高純原材料提純、靶材微觀組織控制、高可靠焊接、精密加工及高潔凈清洗等技術(shù)開發(fā)及工程化研究，實現(xiàn)靶材產(chǎn)業(yè)化；針對高端電子元器件用超細貴金屬粉體、漿料及電真空焊料等，開展成型工藝、微觀組織性能調(diào)控機理及關(guān)鍵加工技術(shù)的研究。 集成電路化合物半導(dǎo)體和鍺材料以探測器級高純鍺晶體生長技術(shù)、無位錯鍺單晶生長技術(shù)、低吸收硫系玻璃紅外光學(xué)窗口材料制備成型技術(shù)和紅外光學(xué)窗口材料鍍膜技術(shù)為重點研究方向。 師資力量：在集成電路硅材料、化合物半導(dǎo)體和鍺材料、高純金屬靶材等領(lǐng)域擁有包括院士、國務(wù)院特殊津貼、青年研究人員的專家和技術(shù)人員，具有深厚的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗。其中中國工程院院士1人，享受國務(wù)院特殊津貼10人，博士10人，研發(fā)人員200余人。在研究生培養(yǎng)方面，貫徹“嚴格招、盡心育、用之長、盡情留”的思路，以國家和市場需求為牽引，緊密對接產(chǎn)業(yè)需求，從培養(yǎng)創(chuàng)造性思維、提高專業(yè)理論水平、增強動手能力等方面加大培養(yǎng)力度，量身制定培養(yǎng)計劃。 技術(shù)積累：硅材料平臺依托單位承擔(dān)了國家908和909重大工程及863重大專項、國家科技重大專項等多個重大項目，擁有國內(nèi)多項第一的半導(dǎo)體硅材料科研和產(chǎn)業(yè)化成果，是國內(nèi)硅材料領(lǐng)域的中堅力量。化合物半導(dǎo)體和鍺材料平臺建成了國內(nèi)第一條化學(xué)氣相沉積（CVD）制備紅外半導(dǎo)體材料生產(chǎn)線，承擔(dān)國防科工局、裝備發(fā)展部、河北省等國家和地方的重要科研項目近20項。高純金屬靶材平臺依托單位承擔(dān)了多個包括國家重點研發(fā)計劃、國家02科技重大專項、863重點項目、國家發(fā)改委高技術(shù)產(chǎn)業(yè)化項目、北京市科委重大項目以及國防軍工等在內(nèi)的靶材重大項目，擁有國內(nèi)多項先進的科研和產(chǎn)業(yè)化成果。 硬件設(shè)備條件：工程中心擁有集成電路硅材料的核心技術(shù)和符合國際標(biāo)準的先進實驗設(shè)備，具有國內(nèi)領(lǐng)先水平的試驗環(huán)境和研發(fā)平臺，擁有集成電路靶材技術(shù)、大批先進的靶材加工和性能檢測設(shè)備，擁有多臺鍺晶體生長、琉系玻璃合成、加工、測試儀器等設(shè)備。 |
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JCDL401
鐵蟲 (初入文壇)
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2樓2025-04-01 17:00:39
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