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lixinli銅蟲 (小有名氣)
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[交流]
【求助】p型微晶硅薄膜和n型微晶硅薄膜的光學帶隙和禁帶寬度的差別
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我向各位大俠們請教一個半導體方面的問題:對p型和n型微晶硅來說它們的禁帶寬度相差大不?到底是誰大些?比如我們認為非摻雜的微晶硅的禁帶寬度為1.12ev,那么是p型還是n型的大于1.12ev?還有就是遷移率帶隙和禁帶寬度是不是一個概念?數(shù)值大小是不是相等?如果用以電池的話,n型的微晶硅的光學帶隙是大點好還是小的好? 謝謝大家提出寶貴意見 [ Last edited by lixinli on 2009-12-24 at 21:38 ] |
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5樓2009-12-26 00:34:40
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