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lixinli銅蟲 (小有名氣)
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[交流]
【求助】p型微晶硅薄膜和n型微晶硅薄膜的光學(xué)帶隙和禁帶寬度的差別
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我向各位大俠們請(qǐng)教一個(gè)半導(dǎo)體方面的問題:對(duì)p型和n型微晶硅來說它們的禁帶寬度相差大不?到底是誰大些?比如我們認(rèn)為非摻雜的微晶硅的禁帶寬度為1.12ev,那么是p型還是n型的大于1.12ev?還有就是遷移率帶隙和禁帶寬度是不是一個(gè)概念?數(shù)值大小是不是相等?如果用以電池的話,n型的微晶硅的光學(xué)帶隙是大點(diǎn)好還是小的好? 謝謝大家提出寶貴意見 [ Last edited by lixinli on 2009-12-24 at 21:38 ] |
鐵桿木蟲 (著名寫手)
銀蟲 (初入文壇)
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